• IQ6C15 (395-15)G50紫外(UV)激光模块 激光器模块和系统
    波长: 395 nm 最大输出功率: 36 mW 运行模式: Modulated, CW

    正在查找波长不是355nm、375nm、395nm、405nm或以下任何其他波长的紫外激光器?我们有各种其他二极管选项和功能可供选择,数量太多,无法在网上列出。立即联系我们,了解更多关于我们定制的紫外激光产品的信息!IQ6激光二极管模块旨在满足需要窄光谱宽度和长相干长度的高端OEM应用的需求。IQ6的波长范围为390至2320nm,光谱宽度<5 MHz,相干长度超过15米。IQ6激光器具有精密电流源和PID温度控制回路,允许该装置在激光器模块内产生较少的多余热量,从而提高二极管寿命、效率和可靠性。

  • ORPHEUS 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    类型: 光参量放大器(OPA) 可调谐: 630 –1030 nm (信号光) 1030 – 2600 nm (闲频光) 超快激光: 应用于飞秒激光系统 脉冲能量: 泵浦单脉冲能量:8 – 20 µJ/20 – 400 µJ(ORPHEUS-HP),400 – 2000 µJ(ORPHEUS-HE) 光谱宽度: 75 – 220 cm-1@ 700 – 960 nm

    ORPHEUS 是共线光参量放大器 (OPA),ORPHEUS 与 PHAROS 或 CARBIDE 飞秒激光器结合,可以输出重复频率高达2MHz、波长从紫外线 (UV) 到中红外 (MIR) 可调谐的飞秒脉冲。因此,它是超快光谱学、非线性显微镜和微结构应用中的宝贵工具。 ORPHEUS 共线 OPA 有三种不同的配置以完美匹配客户不同需求。基础版 ORPHEUS 是一种经济高效的选择,提供630 – 2600nm 的无间隙波长调谐范围,亦可通过外部谐波发生器扩展到210nm。如果需要更高的泵浦功率和更高水平的自动化,ORPHEUS-HP 是更合适的选择。 它提供完全自动化,并将所有波长扩展选项集成到一个热稳定性高的腔体内。波长调节完全无需手调,而是使用了全自动波长分离器,确保190-2600 nm 波长范围的输出光的位置和方向相同。光谱范围最大可扩展至16µm,因此,涵盖了从 UV 到 MIR 的整个光谱。另外,与 ORPHEUS-HP 类似,ORPHEUS‑HE 配置型号也具有上述自动化功能,但同时可接受高泵浦单脉冲能量。

  • HARPIA-TG 光谱仪
    立陶宛
    分类:光谱仪
    厂商:Light Conversion
    波长范围: 340-560 nm

    HARPIA-TG是一个瞬时光栅光谱仪,用于测量载流子扩散和寿命。测量是基于激光诱导的瞬态光栅(LITG)技术。这种方法可以通过全光手段同时观察非平衡载流子的重组和扩散。 HARPIA-TG允许对非导电或非荧光的样品进行表征。它适用于半导体材料和衍生物,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、包晶石、有机和无机太阳能电池、量子点,甚至复杂的纳米结构,如量子井。 与CARBIDE或带有集成光学参数放大器(I-OPA)的PHAROS激光器相配合,这个紧凑的系统通过先进的测量和分析软件实现了完全自动化和计算机控制。因此,用户只需要把样品放在支架上并开始测量,就可以在几分钟内获得扩散系数。

  • HIRO 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    波长: 515 nm, 343 nm, 258 nm, and 206 nm 脉冲能量: 8-400 nJ 泵浦功率: 20 W

    HIRO是一个用于PHAROS和CARBIDE激光器以及FLINT振荡器的谐波发生器。它可以在515、343、258和206纳米处分别提供高效的二次、三次、四次和五次谐波。由于其独特的光学机械设计,主动谐波的选择是手动的,但需要不到几秒钟的时间。 用于PHAROS和CARBIDE的HIRO谐波发生器有三种型号:标准型、高功率型(HP)和高能量型(HE),以地适应泵浦激光器。标准型HIRO可接受20W和1mJ的泵浦,高功率型(HIRO-HP)可接受80W,而高能量型(HIRO-HE)可接受80W和4mJ的泵浦,同时保持高转换效率和光束质量。另外,HIRO-HP和HIRO-HE针对高稳定性和温度控制进行了优化,而标准的HIRO则可以通过选项进行定制,如光束大小控制、准直和白光连续生成。所有型号都使用分束和谐波分割,以实现同步或可切换输出。 与FLINT配合使用,HIRO谐波发生器能以高重复率提供二次、三次或四次谐波。

  • ORPHEUS-VIS 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    可调谐: 标准:450 – 600 nm 脉冲能量: 200 – 1000 µJ 泵浦功率: 20 W

    ORPHEUS-VIS是一个光学参数放大器(OPA),为产生高能量短脉冲VIS输出而优化。该激光系统在450-600纳米或320-900纳米的调谐范围内提供超短脉冲,这取决于所选择的配置,并通过可选的紫外线扩展达到250纳米。ORPHEUS-VIS系统可以与PHAROS或CARBIDE飞秒泵浦激光器耦合,可以用高达20W的平均功率和1mJ的能量脉冲进行泵浦,因此能够在VIS中提供高达几十微焦耳的能量,在UV中提供微焦耳级的输出。 ORPHEUS-VIS可作为超快光谱的一个优秀的高重复率源,如二维电子光谱(2DES)、时间分辨光发射光谱,以及可见光谱范围内的许多其他应用。

  • IPSDS0701 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:InPhenix
    类型: Corning HI780 or equivalent 中心波长: 750 nm 半高宽(FWHM): 10 nm

    美国Inphenix公司的宽带光源设备拥有超宽的带宽(如1250nm-1620nm SLD最大可达300nm带宽)和稳定的高功率。Inphenix宽带光源是基于Inphenix领先的超辐射发光二极管SLD SLED,可灵活定制以满足您对超带宽光源的苛刻需求。Inphenix宽带光源的波长范围从700nm到1700nm任您选择,其1310nm SLD 1550nm SLED 840nm 1050nm宽带光源设备的良好口碑广受赞誉,是理想的OEM集成宽带光源和台式宽带光源。

  • T-Three温度控制 半导体激光器配件

    300瓦的T-Three提供了一种经济高效的方式,通过更高的热稳定性来优化设备的性能。T-Three可对负载变化做出即时响应,即使在接近环境温度的情况下,也能以±0.05°C的可重复性实现0至50°C的热控制。该系统的平稳流动离心泵保持运行无振动,使其成为激光、光学、分析设备或任何其他需要精确温度控制的应用的理想解决方案。使用寿命超过200,000小时的热电模块,T-Three没有压缩机,运动部件很少,也没有氟利昂,因此非常可靠和环保。通用功率输入和我们的可变功率控制意味着您只在需要时才有效地获取功率

  • 超紧凑的UC160-190循环式冷水机 散热解决方案

    UC160-190具有160-190瓦的容量,使用寿命超过200,000小时的超级可靠的热电模块提供精确的温度控制。UC160-190可即时响应负载变化,即使在接近环境温度时也能保持在±0.1°C。其通用的可变电源仅在需要时提供电力,使该装置非常节能。作为世界上较小的风冷式循环冷却器,UC160-190可轻松安装在您的设备内或桌面上。其标准的RS232接口用于自动温度控制,使UC160-190使用简单。

  • WinCamD-LCM - 基于CMOS的光束分析器 光束分析仪
    美国
    分类:光束分析仪
    厂商:DataRay
    传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW, Pulsed 波长范围: 355 - 1150 nm # 像素(宽度): 2048 # 像素(高度): 2048

    Dataray WinCAMD-LCM CMOS激光束分析仪提供USB 3.0传输速率和高分辨率1英寸。探测器适用于从OEM集成到R&D的各种应用。这款光束轮廓仪可在190至1605 nm范围内使用,在2048×2048有效面积内提供5.5µm像素,更新速率高达60 Hz,并具有光学/TTL(晶体管-晶体管逻辑)触发器。CMOS探测器消除了彗星拖尾,全局快门和触发使能脉冲捕获。USB 3.0接口配有专有的可定制软件。该激光束剖面仪的应用包括CW和脉冲激光剖面仪、激光系统的现场维修、光学组件、仪器校准、光束漂移和记录、质量控制以及使用可用的200 mm平移台进行m²测量。

  • WinCamD-THz基于CMOS的光束分析器 光束分析仪
    美国
    分类:光束分析仪
    厂商:DataRay
    传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW, Pulsed 波长范围: 350 - 1150 nm # 像素(宽度): 2048 # 像素(高度): 2048

    这款来自Dataray Povidesa的激光束轮廓仪是OEM、工业和科学应用中的THz激光束测量解决方案。WinCAM-THz配备了一个完整的用户友好的软件套件,用于激光束轮廓测量。

  • FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

  • BladeCam2 高分辨率CMOS束流分析摄像机 科学和工业相机
    美国
    厂商:DataRay
    波长范围: 355-1150nm(标准型号),1480-1610nm(TEL传感器选项) 传感器像素大小/分辨率: BladeCam2-XHR: 3.2µm pixels, 3.1MPixel, 2048x1536;BladeCam2-HR: 5.2µm pixels, 1.3MPixel, 1280x1024 最大帧率: 6fps@2048x1526, 16fps@1024x1024, 35fps@512x512 接口类型: USB 3.0 信噪比: 1000:1

    BladeCam2是一款半导体CMOS束流分析摄像机,具备USB 3.0连接性,提供高分辨率和超紧凑的设计,适用于狭小的光学传输和OEM应用。

  • AM03120-01 非制冷红外检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial InAsSb heterostructure 活性面积A: 1×1 mm×mm 封装: TO8 接受角Φ: ~48° 窗口: wZnSeAR

    AM03120-01是一个“全合一”的非制冷红外检测模块,封装在紧凑的TO8封装中。光伏多结InAsSb探测器元件直接集成低噪声前置放大器。放大后的模拟输出可直接连接到测量设备。可以进行通孔安装。检测模块配备3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗(wZnSeAR),防止不必要的干扰效应。最终产品可以作为OEM组件提供(仅带探测器元件的PCB板),安装在TO8子安装架上,或安装并密封在带窗的TO8封装中。

  • OEM011 光谱分析仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    产品代码: FTIR-OEM011-060-4TE, FTIR-OEM011-085-4TE, FTIR-OEM011-120-4TE 分束器材料: CaF2, ZnSe 光谱范围[cm-1]: 1'660-5'000, 1'200-6'600, 830-5'000 光谱范围[μm]: 2-6, 1.5-8.5, 2-12 探测器类型: MCT (2-TE cooled), MCT (4-TE cooled)

    ARCoptix OEM011 是我们 OEM010 系列的灵活替代方案。主模块配备了内置光源(SiC 石墨棒)和温度控制功能,以及我们的永久定位干涉仪系统。TE-MCT 探测器已移至外部模块,非常适合需要采样系统(短程气体池、净化体积等)的配置。两个模块都可以轻松固定在光学面包板上,并可容纳 30 毫米的笼系统杆,便于快速原型设计。

  • YAG Series 1064nm硅光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

    YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化,具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度,非常适合测量低光强度,如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光,用于测距应用。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

    APD Series 8-150硅雪崩光电二极管,波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流,适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。