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波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W
Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。
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模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon
Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.
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模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W
Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes
Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。
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波长范围: 1 to 5.6 µm 光纤模式: Single Mode, Multi Mode Level Accuracy: ±0.4 dB 偏振相关性: ±0.1 dB RoHS: Yes
Thorlabs Inc的OSA305是一款光谱分析仪,可测量1至5.6µm的波长。它的光学灵敏度范围为-75至-65 dBm/nm,动态范围为40 dB.该光谱分析仪的光谱准确度为±0.2ppm,光谱精度为0.2ppm.它的功率电平精度为±0.4 dB,偏振相关性为±0.1 dB.该频谱分析仪支持FC/APC和FC/PC光纤连接器。OSA305具有用于宽工作范围的多探测器操作和用于外部同步的触发输入。它具有用于光学净化的内置软管连接和一个自由空间输入端口,该端口带有四个4-40分接头,用于60 mm笼式系统兼容性。该频谱分析仪需要100-240 V的交流电源,功耗高达250 W.它采用台式模块,尺寸为541 X 224 X 533 mm,是光学研究、测量、仪器仪表和生产应用的理想选择。