• UV-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-015是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-015的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为2µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为1100 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为3µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为7µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-20 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-20是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1000 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-20的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-35是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1600 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3µs.有关UV-35的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-35P 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-35P是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1600 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-50 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-50是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3.5µs.有关UV-50的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-50L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-50L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3.5µs.有关UV-50L的更多详细信息,请联系我们。

  • scanDelay USB 光学延迟线
    应用: Interferometers, pump-probe configurations, correlators, or fast scan modules 类型: Fixed

    APE Angewandte Physik&Elektronik的Scandelay USB是一种精密光学延迟线,扫描范围为15ps-150ps.它有一个频率为0.1 Hz至20 Hz的内部发生器,并可在0.1 Hz至20 Hz的频率范围内进行外部触发。该延迟线具有USB输出接口和1 “(15ps)和1/2 ”(50ps/150ps)的通光孔径。Scandelay USB可以产生快速的宽扫描以及最小的延迟,并使用模拟光电系统实时测量实际位置。控制电子设备由电机驱动器和石英稳定信号合成器组成。其光学头有两个版本,采用台式封装,尺寸分别为140 mm X 100 mm X 125 mm(15 PS/50 PS)和220 mm X 263 mm X 204 mm(150 PS扫描延迟),是干涉仪、泵浦-探针配置、相关器和快速扫描模块的理想选择。

  • 光束质量分析仪V1.0 光谱分析仪
    加拿大
    分类:光谱分析仪
    厂商:World Star Tech

    感谢您选择 World Star Tech BeamCam!BeamCam 经过专门设计,可帮助您获得对激光器光学特性的新知识。BeamCam 非常适合工业、质量保证或开发目的,可让您以 1280 x 1024 的分辨率查看光束的复杂细节,尺寸低至 6um。 随附的 PC 软件是您接触传感器的窗口。它以 2D 形式显示梁的轮廓。一维横截面轮廓沿任意线显示,或沿梁椭圆的 x 和 y 平面自动显示。实时显示基于轮廓的计算和波束宽度数据。 在设计光学系统时,指向稳定性是一个重要因素。该软件具有波束漂移测量功能,可记录光束在大时间跨度内的运动。

  • FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

  • YAG Series 1064nm硅光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

    YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化,具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度,非常适合测量低光强度,如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光,用于测距应用。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

    APD Series 8-150硅雪崩光电二极管,波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流,适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。