OSI【参数，厂家，图片，选型】-光电查

UV-035DQC

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

OSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息，请联系我们。

UV-035EQ

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

OSI Laser Diode，Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为800 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为2µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息，请联系我们。

UV-100

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UV-100是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息，请联系我们。

UV-100DQ

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

OSI Laser Diode，Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为1100 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为3µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息，请联系我们。

UV-100EQ

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

OSI Laser Diode，Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为7µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息，请联系我们。

UV-100L

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UV-100L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息，请联系我们。

UV-20

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UV-20是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1000 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为2µs.有关UV-20的更多详细信息，请联系我们。

UV-35

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UV-35是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35的更多详细信息，请联系我们。

UV-35P

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UV-35P是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息，请联系我们。

UV-50

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UV-50是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关UV-50的更多详细信息，请联系我们。

UV-50L

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UV-50L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关UV-50L的更多详细信息，请联系我们。

scanDelay USB

德国

分类：光学延迟线

厂商：APE Angewandte Physik & Elektronik GmbH

应用: Interferometers, pump-probe configurations, correlators, or fast scan modules 类型: Fixed

APE Angewandte Physik&Elektronik的Scandelay USB是一种精密光学延迟线，扫描范围为15ps-150ps.它有一个频率为0.1 Hz至20 Hz的内部发生器，并可在0.1 Hz至20 Hz的频率范围内进行外部触发。该延迟线具有USB输出接口和1 “（15ps）和1/2 ”（50ps/150ps）的通光孔径。Scandelay USB可以产生快速的宽扫描以及最小的延迟，并使用模拟光电系统实时测量实际位置。控制电子设备由电机驱动器和石英稳定信号合成器组成。其光学头有两个版本，采用台式封装，尺寸分别为140 mm X 100 mm X 125 mm（15 PS/50 PS）和220 mm X 263 mm X 204 mm（150 PS扫描延迟），是干涉仪、泵浦-探针配置、相关器和快速扫描模块的理想选择。

光束质量分析仪V1.0

加拿大

分类：光谱分析仪

厂商：World Star Tech

感谢您选择 World Star Tech BeamCam！BeamCam 经过专门设计，可帮助您获得对激光器光学特性的新知识。BeamCam 非常适合工业、质量保证或开发目的，可让您以 1280 x 1024 的分辨率查看光束的复杂细节，尺寸低至 6um。随附的 PC 软件是您接触传感器的窗口。它以 2D 形式显示梁的轮廓。一维横截面轮廓沿任意线显示，或沿梁椭圆的 x 和 y 平面自动显示。实时显示基于轮廓的计算和波束宽度数据。在设计光学系统时，指向稳定性是一个重要因素。该软件具有波束漂移测量功能，可记录光束在大时间跨度内的运动。

FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

YAG Series 1064nm硅光电探测器

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。