芯片技术: GaAlAs
颜色: Infrared
无铅: Yes
RoHS: Yes
正向电压: 4.8 to 5.4 V
来自Opto Diode Corporation的OD-663-850是GaAIAS IR LED,其提供425mW的输出功率,具有850nm的峰值发射波长。该LED在50%处提供40nm的光谱带宽,并且呈现120度的半强度光束角。它要求正向电压为5.4 V,反向电压为30 V,连续正向电流为400 mA,峰值正向电流高达1 A.该LED采用2引脚TO-66电气隔离封装,非常适合夜视照明。