• Q 7-0 光电二极管
    英国
    分类:光电二极管
    厂商:Centronic
    波长范围: 430 to 1064 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 4 to 20 pF 暗电流: 4 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

    来自Centronic的Q7-0是波长范围为430至1064nm的光电二极管,电容为4至20pF,暗电流为4至15nA,响应度/光敏度为0.47至0.54A/W,上升时间为10ns.有关Q 7-0的更多详细信息,请联系我们。

  • QD100-0 光电二极管
    英国
    分类:光电二极管
    厂商:Centronic
    波长范围: 430 to 1064 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 250 pF 暗电流: 25 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

    Centronic的QD100-0是一种光电二极管,波长范围为430至1064 nm,电容为30至250 PF,暗电流为25至50 nA,响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W,上升时间为10 ns.有关QD100-0的更多详细信息,请联系我们。

  • QD100-1 光电二极管
    英国
    分类:光电二极管
    厂商:Centronic
    波长范围: 250 to 430 nm 电容: 55 to 250 pF 暗电流: 40 to 200 nA 响应度/光敏度: 0.03 to 0.16 A/W

    Centronic公司的QD100-1是一种光电二极管,波长范围为250至430 nm,电容为55至250 PF,暗电流为40至200 nA,响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W,有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-1的更多详细信息,请联系我们。

  • QD100-4X 光电二极管
    英国
    分类:光电二极管
    厂商:Centronic
    波长范围: 800 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG 电容: 12 to 155 pF 暗电流: 20 to 300 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.40 A/W

    Centronic的QD100-4X是一款光电二极管,波长范围为800至1100 nm,电容为12至155 PF,暗电流为20至300 nA,响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W,上升时间为12 ns.有关QD100-4X的更多详细信息,请联系我们。

  • QD100-5T 光电二极管
    英国
    分类:光电二极管
    厂商:Centronic
    波长范围: 430 to 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 130 to 650 pF 暗电流: 5 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.15 to 0.18 A/W

    Centronic的QD100-5T是一款光电二极管,波长范围为430至900 nm,电容为130至650 PF,暗电流为5至50 nA,响应度/光敏度为0.15至0.18 A/W,有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-5T的更多详细信息,请联系我们。

  • KPDE008LS-A-RA-HQ 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pF

    Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管,工作波长为900至1700 nm(O、E、S、C、L波段)。它可以处理10mW的最大输入光功率,响应度为0.8-0.9A/W,带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm,电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA,反向电压为20V,正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø2.41 mm,非常适合光监控应用。

  • KPM100 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管,工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率,光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源,消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W,支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成,并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块,带有SMA母头连接器,非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

  • GUVB-C21SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管,工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2,有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA,反向电压为3 V.其暗电流为1 nA,光电流为115 nA,响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造,具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

  • GUVC-S10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

  • GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • GUVC-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVC-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

  • GUVV-S10SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管,波长范围为240至395 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-T10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管,波长范围为300至510 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息,请联系我们。

  • BPV11 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为130至300 MV,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW76A 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW76B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85A 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息,请联系我们。