II-VI Incorporated的INO00AA10D102是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为5至10 PF，暗电流为1至120 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INO00AA10D102的更多详细信息，请联系我们。

II-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为18 GHz（O/E），电容为80 FF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的IG24系列是一款光电二极管，波长范围为2.35µm，电容为60至1040 PF，暗电流为0.2至25 uA，响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W，有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器，覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器，孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC（温度通量补偿）组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源，采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。

来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管，在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

Laser Components的SAE500VX是一款光电二极管，波长范围为400至1000 nm，电容为4至10 PF，暗电流为5至30 nA，响应度/光敏度为30至38 A/W，上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD，波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm，有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装，是测距和光通信系统的理想选择。

Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管（APD），可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构，在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装，针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm，响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm，响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管，有效面积为5.5 mm直径，对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm，电容低于10 N，反向击穿电压为10 V，上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF，反向击穿电压为160V，上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

来自Opto Diode Corporation的AXUV63HS1-CH是波长范围为0.01至190 nm、电容为10 NF、暗电流为100 nA、上升时间为2 nsec、有源区直径为9 mm的光电二极管。有关AXUV63HS1-CH的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF，反向击穿电压为160V，上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm，探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W，峰值灵敏度波长为3.8µm，响应率为3 X 10^4 V/W，电阻为0.7-1.5 mOhm，时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，带有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm，探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.7-2.5 MΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.75 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.0 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.0 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装，具有2.4µm长通GE滤波器窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm，响应度为1.65×104~2.5×104V/W，有效元件面积为36mm2，最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ，时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装，具有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。