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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 193 to 1100 nm 上升时间: 3 nS 暗电流: 10 nAMKS|Ophir的FPD-UV-3000是一款光学探测器，波长范围为193至1100 nm，上升时间为3 ns，暗电流为10 nA，带宽为118 MHz，响应度/光敏度为0.58 A/W.FPD-UV-3000的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 0.3 nS 暗电流: 0.1 nAMKS|Ophir的FPD-VIS-300是一款光学探测器，波长范围为320至1100 nm，上升时间0.3 ns，暗电流0.1 nA，带宽1.2 GHz，响应度/光敏度0.5 A/W.FPD-VIS-300的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 193 to 1100 nm 上升时间: 1.5 nS 暗电流: 0.3 to 1 nAMKS|Ophir的FPS-1是一款光学探测器，波长范围为193至1100 nm，上升时间为1.5 ns，暗电流为0.3至1 nA，带宽为233 MHz，响应度/光敏度为0.45 A/W.
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Luna Innovations的SD 197-70-74-591是一款光学探测器，波长范围为350至1050 nm，暗电流为6至18 nA，电容为25 PF，响应度/光敏度为95 A/W，有效面积直径为5mm.有关SD 197-70-74-591的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1310 to 1550 nm 暗电流: 0.1 to 0.2 nA 电容: 0.2 to 0.30 pF来自Spectrolab的InGaAs/p-I-n 10Gb芯片是一款光学探测器，波长范围为1310至1550 nm，暗电流为0.1至0.2 nA，电容为0.2至0.30 PF，响应度/光敏度为0.90至1 A/W，有效面积直径为25µm.InGaAs/P-I-N 10Gb裸片的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.8 to 11 pFVishay Intertechnology的BPV10是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为3.8至11 PF，暗电流为1至5 nA，响应度/光敏度为0.55 A/W，上升时间为2.5 ns.有关BPV10的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 11 pFVishay Intertechnology的BPV10NF是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为11 PF，暗电流为1至5 nA，响应度/光敏度为0.55 A/W，上升时间为2.5 ns.有关BPV10NF的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pFVishay Intertechnology的BPV22F是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为70 PF，暗电流为2至30 nA，响应度/光敏度为0.6至0.35 A/W，上升时间为100 ns.有关BPV22F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pFVishay Intertechnology的BPV22NF是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为70 PF，暗电流为2至30 nA，响应度/光敏度为0.6至0.57 A/W，上升时间为100 ns.有关BPV22NF的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pFVishay Intertechnology的BPV22NFL是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为70 PF，暗电流为2至30 nA，响应度/光敏度为0.6至0.57 A/W，上升时间为100 ns.有关BPV22NFL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 48 pFVishay Intertechnology的BPV23F是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为48 PF，暗电流为2至30 nA，响应度/光敏度为0.6至0.35 A/W，上升时间为70 ns.有关BPV23F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 48 pFVishay Intertechnology的BPV23FL是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为48 PF，暗电流为2至30 nA，响应度/光敏度为0.6至0.35 A/W，上升时间为70 ns.有关BPV23FL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 48 pFVishay Intertechnology的BPV23NF是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为48 PF，暗电流为2至30 nA，响应度/光敏度为0.57至0.60 A/W，上升时间为70 ns.有关BPV23NF的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 48 pFVishay Intertechnology的BPV23NFL是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为48 PF，暗电流为2至30 nA，响应度/光敏度为0.57至0.60 A/W，上升时间为70 ns.有关BPV23NFL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.5 to 11 pFVishay Intertechnology的BPW24R是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为2.5至11 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为7 ns.有关BPW24R的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1000是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1000的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1020是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1020的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1030是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1030的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1040是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1040的更多详细信息，请联系我们。
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