• AM4457P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA,功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP1608P1C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP2012P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA,功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • APA3010P3BT-GX 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息,请联系我们。

  • APT2012P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • KP-2012P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KP-3216P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KPA-3010P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • L-3DP3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • L-7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • WP3DP3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA,功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.7至3 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KPT081M31 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • SLD-840-14BF-2 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-2是一种超发光二极管,在840nm下工作时可提供2mW的输出功率。该二极管采用14引脚标准蝶形封装,配有监控光电二极管和热电冷却器(TEC)。模块尾纤为0.7-1.0米单模保偏光纤,并通过FC/APC连接器连接。它是光纤传输系统、光纤陀螺仪、光纤传感器、光学相干层析成像、光学测量的理想光源。

  • SLD-840-14BF-5 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-5是中心波长为820nm的超发光二极管。它提供5mW的连续/脉冲输出功率,光谱宽度为20-30nm.该SLD具有内部监控光电二极管(PD)和热电冷却器(TEC)。它的热阻为10千欧姆,最小消光比为17分贝。该SLD的最大正向电压为2.5 V,最大正向电流为300 mA.它采用14引脚标准蝶形封装,尺寸为44 X 30 X 10.5 mm,具有Ø0.9 mm SM/PM光纤。该SLD是光纤陀螺仪的理想选择,可作为光纤传输系统、光纤传感器、光学相干层析成像和光学测量应用的光源。

  • 871 Series 光波长计
    美国
    分类:光波长计
    光纤模式: Multi-Mode, Single Mode 工作模式: CW Lasers, Pulsed Lasers 波长范围: 375 nm to 2.5 µm 波长显示单元: µm, nm, cm-1, GHz, THz 波长精度: up to ± 0.0001 nm

    Bristol Instruments的871系列是激光波长计,可测量波长范围为370-1100 nm(可见光)、630-1700nm(NIR)和1000-2500 nm(NIR2)的CW/脉冲激光。这些仪表的精度为0.2-0.75ppm(单模光纤)和1ppm(多模渐变折射率光纤),可重复性为0.0075-0.0125ppm.它们的最大带宽(FWHM)为1/10 GHz,预热时间长达15分钟。这些电表需要90-264 V的交流电源,功耗高达50 W.它们可以通过USB或以太网接口进行控制。871系列波长计使用经过验证的斐索标准具设计来测量脉冲和连续激光的波长。它们产生由快速光电探测器阵列检测的空间干涉图。这些仪表具有机载数字信号处理器,可快速将干涉测量信息转换为波长,从而实现持续的测量速率。它们可以通过内置的波长标准自动校准,保证性能,以确保最有意义的实验结果。这些仪表通过自动脉冲检测异步运行,并具有用于精确激光稳定的内置PID控制器。它们支持使用定制或LabVIEW编程的自动数据报告,以消除对专用PC的需求。871系列波长计采用台式模块,尺寸为89 X 432 X 381 mm,并具有预对准的FC/PC光纤连接器。它们是实验室应用中测量脉冲/连续激光器的理想选择。

  • MAX3275 跨阻放大器
    美国
    分类:跨阻放大器
    厂商:Maxim Integrated
    应用: Dual-Rate Fibre Channel Optical Receivers, Gigabit Ethernet Optical Receivers 电源电流: 25 mA 数据速率: 1.062 to 2.125 Gbps 跨阻抗: 2.8 to 3.8 kOhms 电源电压: -0.5 to 4 V

    Maxim Integrated的MAX3275是一款跨阻放大器,可在光纤通道应用中提供高达2.125 Gbps(NRZ)的数据速率。它具有高达2.7 GHz的小信号带宽,折合到输入端的噪声为300毫安。该放大器的交流输入过载为2 MAP-P,滤波器电阻为600Ω。它需要3.3 V的直流电源,功耗为83 MW.该放大器采用尺寸为24 X 47 mm的裸片封装,非常适合光功率关系、光灵敏度计算、输入光学过载、光学线性范围、布局考虑、光电二极管滤波器、线焊、双速率光纤通道光接收器和千兆以太网光接收器应用。

  • HMC799LP3E 跨阻放大器
    美国
    分类:跨阻放大器
    厂商:Analog Devices
    应用: Laser Sensor, FDDI Receiver, CATV FM Analog Receiver, Wideband Gain Block, Low Noise RF Applications 电源电流: 60 to 80 mA 数据速率: 1 Gbps 跨阻抗: 7.5 to 12.5 KOhms 电源电压: 4.5 to 5.5 V

    Analog Devices的HMC799LP3E是一款跨导放大器,工作频率为700 MHz至100 MHz.它的跨阻为10 kOhm,跨阻增益为80 dB-ohm,输入均方根噪声为150 nA.该跨阻放大器的小信号增益为42 dB,输出回损为20 dB.它的模拟带宽为700 MHz,动态范围为+65 dB.该放大器需要5 V直流电源,功耗为70 mA.它是激光传感器、FDDI接收器、CATV FM模拟接收器、宽带增益块、光电激光传感器和低噪声RF应用的理想选择。

  • N7004A 光电转换器
    美国
    分类:光电转换器
    纤芯直径: 50/125 µm 光纤模式: Single Mode, Multi-Mode 设备类型: Module 光/输入功率: 4 to 8 mW 波长范围: 750 to 1650 nm

    是德科技(Keysight Technologies)的N7004A是一款光电转换器,光/输入功率为4至8 MW,波长范围为750至1650 nm,带宽为DC至33 GHz,数据速率为28 GB/s.有关N7004A的更多详细信息,请联系我们。