• FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55~+125°C 工作温度: -40~+75°C 焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000µm 响应度: 0.85~0.90A/W

    FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管,分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰,非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

  • XUV Series 硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: 5V 工作温度: -20到+60ºC 储存温度: -20到+80ºC 有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考

    XUV Series独特的硅光电二极管系列,设计用于X射线区域的额外灵敏度,无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm(6eV到17.6KeV)的宽光谱范围内敏感,每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对,对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

  • PIN-4X4D/UDT-4X4D 4x4硅光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1.4x1.4mm(PIN-4X4D), 1.0x1.0mm(UDT-4X4D) 峰值波长: 632nm(PIN-4X4D), 810nm(UDT-4X4D) 响应度: 0.35A/W(PIN-4X4D), 0.40A/W(UDT-4X4D) 电容: 75pF(PIN-4X4D), 35pF(UDT-4X4D) 噪声等效功率: 5.2e-14W/√Hz(PIN-4X4D), 1.0e-14W/√Hz(UDT-4X4D)

    PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列,具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应,具有快速响应和极低串扰的特点。

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

    FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器,如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器,封装在密封的4针TO-46封装中,适用于高速信号放大。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上,适用于高速光通信等应用,为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

  • FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

  • 1948RxM 超低功耗14xx/15xx nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    目标波长: 1420-1510nm 中心波长偏差: -0.5nm +0.5nm 操作泵浦功率: 300mW-500mW 最小操作泵浦功率: 50mW 带内功率: 80%

    1948RxM Ultra-Low Power Consumption 14xx/15xx nm泵浦模块,专为拉曼放大设计,采用内部芯片技术,提供卓越的性能、功耗和可靠性。

  • 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)

    3SP Technologies提供的980nm泵浦模块,适用于光纤激光器泵浦源等多种应用,具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块,采用冷却的14针或10针蝴蝶封装,带有背面监视光电二极管。

  • 1999CMX 高性能980纳米泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 150-550mW 无故障功率: 290-620mW 正向电流: 640-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMX是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,全面质量认证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块具有小型封装,密封良好,并集成了热电制冷器、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管。1999CMX是3SP Technologies推出的高性能980纳米泵浦模块,适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器。

  • 1999CHX 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    1999CHX是一款新一代980nm陆地泵浦模块,采用公司自主芯片技术,全面合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。这款小型化、密封的激光模块,最高可提供680mW的操作功率,适用于高输出功率低噪声EDFAs、密集波分复用EDFAs和CATV。

  • 1999CVX 980 nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 700 - 950mW 无折点功率: 1.1 x Pnom - mW 正向电流: 80 - 1575mA 正向电压@950mW: 2V

    3SP Technologies的1999CVX是一款980 nm冷却泵浦激光模块,适用于高输出功率低噪声掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器等应用。980 nm冷却泵浦激光模块,提供高达950mW的操作功率,具有小型封装、无突跳功率和高波长及功率稳定性。

  • 1999SHX 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 360-540mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 740-1010mA 正向电压@540mW: 1.9V

    1999SHX是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用公司内部芯片技术,全面合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块设计用于低功耗下高波长和功率稳定性的性能。1999SHX具有高输出功率和低噪声,适用于掺铒光纤放大器和密集波分复用。

  • QubeCL 激光器精确驱动和控制平台 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    最大电流范围: 0.5 A, 1 A, 1.5 A, 2 A, 2.5 A 均方根电流噪声: <1 µA RMS 电流噪声谱密度: <400 pA/√Hz 电流稳定性(1小时): 10 ppm FS 恒流输出电压: 18 V

    QubeCL是一个模块化平台,针对半导体激光器,特别是量子级联激光器(QCLs),提供了精确和简单的驱动和控制工具。该系统集成了多个高性能仪器于10x10 cm2的超紧凑占地面积内。具有极低的电流噪声和高精度的温度控制,适用于高精度的科学研究和工业应用。

  • QubeCL系统 高性能激光器驱动环境 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    工作温度: -20到+40°C 储存温度: -20到+70°C 主电源电压: 26V TEC电源电压: 26V 监控电源电压: 5.5V

    QubeCL系统是专为最先进的量子级联激光器(QCL)源设计的高性能激光器驱动环境,也可以驱动任何种类的半导体激光器。该系统的扩展模块允许您定制系统,获得一个10x10 cm2足迹的高性能仪器。该系统旨在最小化外部接线,并将易受干扰的连接封闭在其框架内,从而减少噪声耦合并最大化性能。适用于精密气体光谱学等应用。