• VM100-850-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHz

    VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现已作为工程样品提供,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源(GSG)微探针或线键进行接触。

  • V50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mA

    V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源(GS)微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

  • VM50-940-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA

    这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶面单独接触。

  • VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。

  • V25-850-HT 高温稳定VCSEL 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHz

    V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4)阵列作为工程样品提供,用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触,使用地源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性,并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆(AOC),具有高达28 Gbit/s的速率。

  • VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx 单模顶发射VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。

  • VM100-910-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mA

    VM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶部表面单独接触。

  • VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现作为工程样品供应,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源(GSG)微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

  • VM50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nm

    VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源(GS)微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

  • VM100-880-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 数据速率: 高达 112 Gbit/s 56 GBaud/s PAM-4 阈值电流: < 0.6 mA 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHz

    VM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光(VCSEL)芯片作为工程样品,可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶面单独接触。

  • VM100-940-GSG-Cxx 基垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mA

    VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合单独接触顶面。

  • VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/s

    VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源(GS)微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

  • D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nA

    D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片,支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • D35-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片,数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择,间距为 250 µm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片,数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

  • D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片,适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率,用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式,通道间距为250微米,可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • 高速硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器

    OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备,优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组,具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm,响应度和响应时间经过优化,HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度,在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容,适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

  • 与闪烁体兼容的光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 540pA 终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μs

    Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成:单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用,这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项: BGO、CdWO4或碘化铯(TI)。BGO(德国铋)作为一种理想的能量吸收器:它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4(钨酸镉)表现出足够高的光输出,有助于提高光谱分析结果。碘化铯(碘化铯)是另一种高能量吸收器,提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时,这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外,他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。