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光电查为您提供7086个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 拉皮德系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: 40 to 80W 工作电压: 2 V 工作电流: 50 to 90 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的LAPID系列是波长为808nm、915nm、940nm的激光二极管,输出功率为40至80W,工作电压为2V,工作电流为50至90A,输出功率(连续波)为40至80W.有关LAPID系列的更多详细信息,请联系我们。

  • 霓虹灯 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 50 W 工作电流: 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氖是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达50 W,工作电流为12 A,输出功率(CW)高达50 W,工作温度为20至30摄氏度。

  • 奥德姆 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 150 W 工作电压: 18 V

    来自SIMIConductor Devices的ODEM是波长为940nm、输出功率为150W、工作电压为18V、工作电流为170A、输出功率(CW)为150W的激光二极管。

  • 蛋白石2 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 3.2 V 工作电流: 120 A

    来自SIMIConductor Devices的Opal 2是波长为940nm、输出功率为100W、工作电压为3.2V、工作电流为120A、输出功率(CW)为100W的激光二极管。Opal 2的更多细节可参见下文。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-800-C 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 18 V 工作电流: 105 A

    半导体器件公司的QCW-800-C是一种波长为808±3nm、输出功率为100W、工作电压为18V、工作电流为105A、阈值电流为20000mA的半导体激光器。有关QCW-800-C的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-840 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 140 W 工作电流: 80 A 阈值电流: 20000 mA

    来自SIMIConductor Devices的QCW-840是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为140 W,工作电流为80 A,阈值电流为20000 mA,输出功率(CW)为140 W.有关QCW-840的更多详细信息,请联系我们。

  • 红宝石E系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 18 V 工作电流: 200 A

    来自SIMIConductor Devices的Ruby E系列是一款激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为18 V,工作电流为200 A,输出功率(CW)为200 W.Ruby E系列的更多详细信息见下文。

  • 红宝石系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 75 W 工作电压: 15 to 17 V 工作电流: 80 A

    来自SIMIConductor Devices的Ruby系列是波长为808nm、输出功率为75W、工作电压为15至17V、工作电流为80A、阈值电流为20000mA的激光二极管。Ruby系列的更多细节可以在下面看到。

  • 萨皮尔系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 70 to 100 W 工作电压: 2 V 工作电流: 110 A

    SIMIConductor Devices的Sapir系列是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为70至100 W,工作电压为2 V,工作电流为110 A,输出功率(CW)为70至100 W.有关Sapir系列的更多详细信息,请联系我们。

  • 氙气 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 320 W 工作电流: 10 to 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 200 to 220, 400 to 440 µm

    来自半导体器件的氙是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达320 W,工作电流为10至12 A,输出功率(CW)高达320 W,工作温度为20至30摄氏度。

  • WL-350-225-976 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 973 to 979 nm 输出功率: 350 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 145 A

    Somerville Laser Technology的WL-350-225-976是波长为973至979 nm的激光二极管,输出功率为350 W,工作电压为4.8 V,工作电流为145 A,阈值电流为10000 mA.有关WL-350-225-976的更多详细信息,请联系我们。

  • WL-450-225-976 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 973 to 979 nm 输出功率: 450 W 工作电压: 6.3 V 工作电流: 145 A

    Somerville Laser Technology的WL-450-225-976是波长为973至979 nm、输出功率为450 W、工作电压为6.3 V、工作电流为145 A、阈值电流为10000 mA的激光二极管。有关WL-450-225-976的更多详细信息,请联系我们。

  • WL-550-225-976 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 973 to 979 nm 输出功率: 550 W 工作电压: 7.8 V 工作电流: 145 A

    Somerville Laser Technology的WL-550-225-976是波长为973至979 nm、输出功率为550 W、工作电压为7.8 V、工作电流为145 A、阈值电流为10000 mA的激光二极管。有关WL-550-225-976的更多详细信息,请联系我们。

  • WL-600-225-976 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 973 to 979 nm 输出功率: 600 W 工作电压: 7.8 V 工作电流: 145 A

    Somerville Laser Technology的WL-600-225-976是波长为973至979 nm的激光二极管,输出功率为600 W,工作电压为7.8 V,工作电流为145 A,阈值电流为10000 mA.有关WL-600-225-976的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD1254JFR-V 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 to 645 nm 输出功率: 90 mW 工作电压: 2.5 to 2.9 V 工作电流: 150 to 185 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD1254JFR-V是一款激光二极管,波长为635至645 nm,输出功率为90 MW,工作电压为2.5至2.9 V,工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD177H5 半导体激光器
    应用行业: Communications 技术: Multi-Quantum Well (MQW), Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAs 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 1.4 to 4 mW

    索尼的SLD177H5是一款用于25 Gbps光通信的4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片。该激光器的工作波长为850 nm,光输出功率高达4 MW.它采用2.4 V电源供电,功耗高达1.6 mA.该器件的光束发散度为33度,光束间距为250μm.它基于具有高温稳定性和可靠性的MQW VCSEL热电路模型,并且具有高达25Gbps的数据速率。该激光器以芯片形式提供,是高速数据通信应用的理想选择。

  • SLD259VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 to 250 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V 工作电流: 210 to 270 mA

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW,工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装,非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • SLD266ZS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 785 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.6 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.035 A

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管,工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作,发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率,同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装,是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

  • SLD291VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 350 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 400 to 470 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD291VS是一款激光二极管,波长为840至860 nm,输出功率为350 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为400至470 mA.有关SLD291VS的更多详细信息,请联系我们。