光电查为您提供5837个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  9900B - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 680 nm 上升时间: 15ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  9902B - 38毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 290 - 680 nm 上升时间: 3ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  9924B - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 680 nm 上升时间: 15ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  9924QB - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 200nm 波长范围: 160 - 680 nm 上升时间: 15ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  9939B - 51毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 290 - 680 nm 上升时间: 3ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  9954B - 51毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 290 - 680 nm 上升时间: 2ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  9972B - 38毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 350nm 波长范围: 290 - 850 nm 上升时间: 3ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  雪崩式光电探测器MTAPD-06-001

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Marktech Optoelectronics

  APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

  Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф230um）0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

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  雪崩式光电探测器MTAPD-06-005

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Marktech Optoelectronics

  APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

  Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф500um）2 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

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  雪崩照片=检测器MTAPD-05-003

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Marktech Optoelectronics

  APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

  Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD（LCC）类型，并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR（800nm）增强型500µm直径APD，可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。

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  B29B01W - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 5ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  B29B02H- 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 2ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  B29B03H - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 2ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  B29B06H - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 2ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  B29B07W - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 2ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  B29B10W - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 2ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  Ge雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics Corp

  APD 类型: Ge 工作波长: 1300nm 工作波长范围: 800 - 1800 nm

  雪崩光电二极管

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  H1系列APD接收器，集成前置放大器和温度传感器

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  APD 类型: Si, InGaAs 工作波长: 400 - 1100nm 工作波长范围: 900 - 1700 nm

  超低噪声H1系列采用12引脚TO-8封装，内置温度传感器，可进行温度补偿。较大带宽为1 MHz至25 MHz，具体取决于版本。

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  InGaAs雪崩光电二极管2.5Gbps

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Go!Foton

  APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1625 nm

  走！Foton的雪崩光电二极管（APD），前照式，适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

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  砷化镓雪崩光电二极管IAG-系列

  德国

  分类：光电二极管

  厂商：Laser Components

  APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nm

  IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD，在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。