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活动区域: 25mmAmptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器（SDD）系列，用于扫描电子显微镜（SEM）中的能量色散谱（EDS）。使用我们获得专利的C系列氮化硅（Si3N4）X射线窗口，我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍（Be）。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS，也称为能量色散X射线光谱（EDX或XEDS）和能量色散X射线分析（EDXA）或能量色散X射线微量分析（EDXMA）。
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活动区域: 25mm 活动区域: 17mm我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）以及外部前置放大器，与此不同的是，快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）取代JFET。这显著降低了电容，大大降低了串联噪声，并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器，但带有前置放大器，在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进；更多的计数提供更好的统计数据。
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活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mmAmptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅（Si3N4），将我们的硅漂移探测器（SDD）的低能量响应扩展到硼（B）。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”，我们为一般的XRF分析提供了铍（Be）窗口的替代方案，与用于软X射线分析的聚合物窗口相比，我们提供了优越的性能。
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图像面积: 2048 x 2048 像元尺寸: 15μm x 15μm 图像区域尺寸: 32.2mm x 32.2mm 填充因子: 近100% 读出噪声: 小于5电子@150KHzCCD0720A/0820A是一款2048 x 2048元素的固态电荷耦合器件（CCD）图像传感器，适用于高分辨率科学、基于空间的工业和商业电光系统。
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图像区域宽度: 95.04mm 图像区域高度: 95.04mm 像素间距: 9μm x 9μm 读出噪声: 少于20电子 动态范围: >75dBCCD1600A 全帧 CCD 图像传感器是一款具有10560 x 10560像素的固态电荷耦合器件，适用于高分辨率科学、空间、工业及商业电光系统。
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光敏图像区域: 95mm x 47.5mm 像元尺寸: 9µm x 9µm 双级高速输出数量: 16 读出噪声: 7.0-9.0e- @ 1.0MHz datarate, 5.0e- @ 100kHz datarate 最大数据速率: 10MHzCCD1600-FT是一款10k x 10k的分帧转移CCD图像传感器，具备高效的图像采集能力，适用于多种高精度成像应用。
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图像传感器阵列: 10560 x 10560 像元尺寸: 9μm x 9μm 图像面积: 95.04mm x 95.04mm 填充因子: 100% 读出噪声: 2e- at 50kHz, 5e- at 1MHzCCD1600LN是一款10560 x 10560像素的固态电荷耦合器（CCD）全帧图像传感器，旨在用于高分辨率科学、空间、工业和商业光电系统。
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DC供电电压: 25.0V 复位排水电压: 16.0V 输出电压: -2.0 1.0 2.0V 排水电压: 23.0V 饱和输出电压: 700mVCCD1630A/CCD1632A是一款1330 x 1320像素的全帧CCD图像传感器，适用于高分辨率科学、空间、工业和商业电子光学系统。
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图像区域宽度: 4224 图像区域高度: 3200 像元尺寸: 8.6µm x 8.6µm 填充因子: 近100% 读取噪声: 30e- 20MHzCCD2520A是一款4224 x 3200像素的固态电荷耦合器件（CCD）成像传感器，适用于高分辨率科学、空间、工业和商业电光系统。
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OD DC供电电压: 20.0-30.0V RD 重置排水电压: 10.0-20.0V OTG 输出传输门电压: -5.0-5.0V S1,S2,S3 水平串行时钟: +5.0--5.0V SW 汇总门时钟: +5.0--5.0VCCD2700A是一个8064 x 8064像素的固态电荷耦合器件（CCD）成像传感器，适用于高分辨率科学、空间基础、工业和商业电光系统。
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图像阵列: 4032 x 4096 像元尺寸: 15µm x 15µm 图像面积: 60.48mm x 61.44mm 填充因子: 近100% 读出噪声: 小于5电子@150KHzCCD2900A是一款4032 x 4096像素的固态电荷耦合器件（CCD）传感器，适用于高分辨率科学、太空、工业和商业电光系统。
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图像区域宽度: 30.96mm 像元尺寸: 15μm x 15μm 填充因子: 近100% 读出噪声: 小于3电子 输出电压: 15V-30VCCD3600A是一款2064x2064像素的图像传感器，适用于高分辨率科学、空间、工业和商业光电系统。
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图像阵列: 4096 x 4096 像元尺寸: 15µm x 15µm 图像面积: 61.44mm x 61.44mm 填充因子: 近100% 读出噪声: 2.5-3.5电子(100KHz)CCD4150A是一款4096 x 4096像素的固态电荷耦合器件（CCD）图像传感器，适用于高分辨率科学、基于空间的工业和商业电光系统。
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格式: 4080 x 4080 pixels 像元尺寸: 15µm x 15µm 填充因子: 100% 读出噪声: ≤3e- RMS at 100 kHz 全阱容量: >200ke-CCD 4850是一款4080 x 4080像素的埋沟道电荷耦合器件（CCD）传感器，旨在用于高分辨率的科学、基于空间的、工业和商业电光系统。
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像素尺寸: 10µm 输出数量: 4或16 量子效率: >90% 耗尽深度: 75-150µm 读出速率: 0.5Hz4k x 4k Si-CCD，采用分割全帧架构，具有高量子效率和卓越的图像对比度。
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图像面积: 30.72mm x 30.72mm 像素间距: 16μm x 16μm 填充因子: 100% 读出噪声: <5电子 动态范围: >75dBCCD_FT2K是一款1920 x 1920图像元素的固态电荷耦合器件（CCD）框架传输传感器，专为高分辨率科学、空间、工业和商业电光系统而设计。
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标准接口: Gigabit网络接口，铜或光纤（小型可插拔模块） 主时钟: 100 MHz频率，10 ns时间分辨率 CCD时钟供应: 28个数字-模拟转换器，100 MHz，16位 输入输出触发: 通过BNC连接器，光隔离 CCD读取: 通过16个模拟-数字转换器通道，100 MHz，每个通道使用数字相关双重采样CCD接近电子设备最初是为了运行具有最多16个输出的科学CCD而开发的，支持高达2 MHz的像素速率，适用于传感器外部测试。它可以被相机开发者用来降低自身开发工作的风险。
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传感技术: Planar lnGaAs PIN (0.9 – 1.7 µm) Array 发射器技术: lnGaN Green LED Array 像素间距: 10µm 图像尺寸: 3.2 x 3.2 mm; 12.8 x 9.6 mm 图像对角线长度: 4.5 mm; 16 mmDIVxxxxP10G-17-C lnGaAs Direct SWIR Viewer 是一种高效的短波红外（SWIR）成像设备，能够将SWIR信号转换为可见光，并广泛应用于各类检测和成像应用。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 µm 实际像素阵列: 1280 x 1024 像素间距: 15 µm 图像尺寸: 19.20 x 15.36 mm近红外（0.9 µm - 1.7 µm）InGaAs焦平面阵列，配备双级热电冷却器。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 1.2 – 2.2 µm 实际像素阵列: 320 x 256 有效像素阵列: 318 x 254 像素间距: 30 µmFPA320x256-2.2-TS2a-50mm 是一款近红外图像传感器，采用 InGaAs 技术，适用于 1.2 µm - 2.2 µm 的光谱范围。