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300瓦的T-Three提供了一种经济高效的方式，通过更高的热稳定性来优化设备的性能。T-Three可对负载变化做出即时响应，即使在接近环境温度的情况下，也能以±0.05°C的可重复性实现0至50°C的热控制。该系统的平稳流动离心泵保持运行无振动，使其成为激光、光学、分析设备或任何其他需要精确温度控制的应用的理想解决方案。使用寿命超过200，000小时的热电模块，T-Three没有压缩机，运动部件很少，也没有氟利昂，因此非常可靠和环保。通用功率输入和我们的可变功率控制意味着您只在需要时才有效地获取功率
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TEC5V4A-D是一款专为驱动TEC（热电冷却器）而设计的电子模块，在调节对象温度方面具有高稳定性、高能效、零EMI和小尺寸。
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UC160-190采用160-190瓦的超紧凑、安静运行和精确可靠的热电技术，使用寿命超过200，000小时的超可靠热电模块提供精确的温度控制。UC160-190可立即响应负载变化，保持在±0.1°C，甚至接近环境温度。其通用的可变电源仅在需要时提供电力，使该装置非常节能。
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TC Lab系列仪器先进可靠的电路可实现优于0.0009°C的温度稳定性。超稳定的温度控制器仪器特别适用于需要精确温度控制的光电、医疗、光谱学和国防系统的研究。
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WLD3343是一款通用激光二极管驱动器，可使用与任何激光二极管类型兼容的电子设备来保持精确的激光二极管电流（恒流模式）或稳定的光电二极管电流（恒功率模式）。它延迟并缓慢增加电流，以提供较大保护。从单个+5 V电源向激光二极管提供高达2.2 A的电流。如果设备温度超过105°C，内部恒温器将安全关闭WLD。远程启用或禁用电流。零泄漏电流允许与VCSEL一起工作。电流范围由外部电阻调节。
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紧凑，强大，高效WTCP5V5A温度控制器在PCB安装封装中提供了脉宽调制（PWM）控制的所有优点。WTCP结构紧凑，效率高，通常不需要任何额外的散热。设计用于轻松集成WTCP5V5A可以采用5V单电源供电，或者当需要更低的输出电流噪声时，WTCP和负载可以由单独的电源驱动。实用的功能，稳健的设计精心设计的功能提供了宝贵的优势，并有助于确保应用程序的长期可靠性：单独的加热和冷却电流限制保护负载免受操作异常的影响。外部无源元件可微调工作范围，以获得较大的控制灵敏度和精度。多功能接口信号简化了WTCP与广泛应用的集成。易于使用的元件选择计算器简化了系统设计和配置。有价值的安全功能内置的安全特性使WTCP能够适应真实世界的工作条件：电流限制、电压限制。长期可靠性意味着更长的正常运行时间、更少的服务呼叫以及更多满意和成功的客户。
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运行模式: CW, Modulated具有APC和CC工作模式的激光二极管驱动器
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运行模式: CW, Modulated具有APC和CC工作模式的激光二极管驱动器
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运行模式: CW, Modulated具有APC和CC工作模式的激光二极管驱动器
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运行模式: Modulated, CW具有APC和CC工作模式的激光二极管驱动器。
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运行模式: CW, Modulated用于P型激光二极管的具有APC和CC工作模式的激光二极管驱动器
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工作距离: 100 - 500 mm 最高温度: 250degCMeltView Apex2是我们的焊接教育摄像系统，可在演示和学生练习期间提供清晰、聚焦、放大的焊接区视图。由于小型APEX2摄像机可灵活地安装在MIG或TIG焊枪上，因此可以从较接近手动焊工视角的角度显示和记录环形焊缝、3G焊缝、长焊缝等。每台Apex2相机都配有一台装有我们的MeltView Luci软件的笔记本电脑。Luci可以轻松录制和注释视频文件。用户还可以通过预设模式或单独的参数调整来优化焊接和非焊接图像。其他软件功能包括数字缩放，时间戳，逐帧回放，背景增强模式和可调十字准线覆盖。
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工作距离: 100 - 500 mm 最高温度: 250degCMeltView Dart焊接摄像机是一款强大的工业焊接监控解决方案，因其图像质量、简单操作和价值而备受关注。MeltView DART用于在温度高达250°C的条件下，在4″和20″（100-500 mm）之间的工作距离内监控弧焊应用。
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工作距离: 50 - 2500 mm 最高温度: 100degCMeltView MIRA2是一款先进的焊接相机，用于不需要相机加固的应用。内置的MeltView LUCI软件有助于图像优化、分析和记录。
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有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 23300系列是开面、微通道板（MCP）、电阻式阳极编码器（Rae）位置敏感探测器头，用于带电粒子和高能光子探测，包括标准或涂层（如CSI、KBr）MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线，在真空中运行（完全UHV兼容）。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造，以获得较大的UHV兼容性真空压力；在操作中，单个入射事件（粒子或光子）撞击MCP检测器表面并导致电子级联，其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置，MCP在增益饱和模式下工作，以帮助确保事件间相对恒定的增益，从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。
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活动区域: 25mmAmptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器（SDD）系列，用于扫描电子显微镜（SEM）中的能量色散谱（EDS）。使用我们获得专利的C系列氮化硅（Si3N4）X射线窗口，我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍（Be）。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS，也称为能量色散X射线光谱（EDX或XEDS）和能量色散X射线分析（EDXA）或能量色散X射线微量分析（EDXMA）。
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活动区域: 25mm 活动区域: 17mm我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）以及外部前置放大器，与此不同的是，快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）取代JFET。这显著降低了电容，大大降低了串联噪声，并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器，但带有前置放大器，在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进；更多的计数提供更好的统计数据。
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图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels 像素大小: 30um大型拼接X射线CMOS图像传感器。
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活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mmAmptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅（Si3N4），将我们的硅漂移探测器（SDD）的低能量响应扩展到硼（B）。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”，我们为一般的XRF分析提供了铍（Be）窗口的替代方案，与用于软X射线分析的聚合物窗口相比，我们提供了优越的性能。
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HASO波前传感器微透镜数量: 13x13 HASO精度: 6nm RMS HASO重复性@550nm@200ph/微透镜: 30nm RMS 光谱范围: 400-1100nm 可变形镜: 40 piezo actuatorsCIAO VIS是一款紧凑型创新自适应光学附加设备，旨在提升望远镜的性能，兼容扩展光源，适用于高分辨率成像。