- 日本
- Toshiba Corporation
-
正向电流
Forward Current（mA）
确定 取消 -
正向电压
Forward Voltage（V）
确定 取消 -
波长
Wavelength（nm）
确定 取消
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
-
HSMF-C144
厂家：Broadcom
-
HSMF-C11B
厂家：Broadcom
-
DUV255-SD353
厂家：Roithner Lasertechnik
光电查为您提供59个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W来自东芝公司的TL1F2-DW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。TL1F2-DW0，L的更多详细信息可参见下文。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W来自东芝公司的TL1F2-LL1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为100 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W来自东芝公司的TL1F2-LW1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为105 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W来自东芝公司的TL1F2-NW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W来自东芝公司的TL1F2-NW1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为128 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W来自东芝公司的TL1F2-WH1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为120 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L2-DW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L2-LL1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为104 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L2-LW1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为111 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L2-NW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L2-NW1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为128 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L2-WH1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为120 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.298, CY=0.313 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L3-CW0，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为135 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L3-DW0，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为145 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-DW0，L的更多详细信息如下所示。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L3-DW0，L4A5B是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为140 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-DW0，L4A5B的更多详细信息如下所示。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L3-LL1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为112 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-LL1，L的更多细节可参见下文。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L3-LW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为119 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-LW1，L的更多详细信息可参见下文。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.329, CY=0.342 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L3-NT0，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为145 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-NT0，L的更多详细信息如下所示。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.329, CY=0.342 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L3-NT0，L4A5B是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为140 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-NT0，L4A5B的更多详细信息如下所示。
-
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L3-NW0，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为145 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-NW0，L的更多详细信息如下所示。