已选
  • 美国
参数:
  • 工作电流

    Operating Current(mA)

    确定 取消
  • 工作电压

    Operating Voltage(V)

    确定 取消
  • 输出功率

    Output Power(mW)

    确定 取消
  • 阈值电流

    Threshold Current(mA)

    确定 取消
  • 波长

    Wavelength(nm)

    确定 取消
推荐专栏
  • 专业选型
  • 正规认证
  • 品质保障
查看更多 >

光电查为您提供2964个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • R808±0.5-3WF-R6-G 半导体激光器
    波长: 808±0.5 nm 输出功率: 3 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 4000 mA 阈值电流: 0.64 A

    来自Electro Optical Components的R808±0.5-3WF-R6-G是波长为808±0.5 nm、输出功率为3 W、工作电压为1.9 V、工作电流为4 A的激光二极管。

  • R808±0.5-4WW-CM-G 半导体激光器
    波长: 808±0.5 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 1.92 V 工作电流: 4620 mA 阈值电流: 0.65 A

    来自Electro Optical Components的R808±0.5-4WW-cm-G是波长为808±0.5 nm、输出功率为4 W、工作电压为1.92 V、工作电流为4.62 A的激光二极管。

  • R808±10-6WF-09HHL-T 半导体激光器
    波长: 808±10 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 1.96 V 工作电流: 7740 mA 阈值电流: 1.34 A

    Electro Optical Components的R808±10-6WF-09HHL-T是一款激光二极管,波长为808±10 nm,输出功率为6 W,工作电压为1.96 V,工作电流为7.74 A.有关R808±10±6WF-09HHL-T的更多详细信息,请联系我们。

  • R980±10-10WF-02HBCK-R 半导体激光器
    波长: 980±10 nm 输出功率: 10 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 12500 mA 阈值电流: 0.70 A

    来自Electro Optical Components的R980±10-10WF-02HBCK-R是一款激光二极管,波长为980±10 nm,输出功率为10 W,工作电压为1.9 V,工作电流为12.5 A.有关R980±10-10WF-02HBCK-R的更多详细信息,请联系我们。

  • R980±10-20WF-R2 半导体激光器
    波长: 980±10 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 3.87 V 工作电流: 12160 mA 阈值电流: 0.54 A

    Electro Optical Components的R980±10-20WF-R2是一款激光二极管,波长为980±10 nm,输出功率为20 W,工作电压为3.87 V,工作电流为12.16 A.有关R980±10-20WF-R2的更多详细信息,请联系我们。

  • TOLD9200 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 660 to 680 nm 输出功率: 3 mW 工作电压: 2.3 to 3 V 工作电流: 75 to 100 mA

    来自Meredith Instruments的TOLD9200是波长为660至680 nm、输出功率为3 MW、工作电压为2.3至3 V、工作电流为75至100 mA的激光二极管。有关TOLD9200的更多详细信息,请联系我们。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    工作模式: QCW 半导体激光器巴条: 12

    H封装激光二极管阵列专为直接二极管应用(例如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,脉冲持续时间为0.5ms至300ms,每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以实现更坚固的组装,从而提高可靠性。

  • ARR121C080 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW 半导体激光器巴条: 4

    Derringer封装采用专有的水冷设计,无需去离子水即可实现出色的热量提取。该阵列非常适合于固态激光器(SSL)晶体的侧面泵浦,以及任何需要线性配置中的多个条的直接二极管应用。4长德林格的特点是发射输出长度约为4厘米。可提供高达160W的CW输出功率。对于QCW配置,32巴阵列的最大输出为9.6 kW.

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    工作模式: QCW 输出功率: 200 W 半导体激光器巴条: 1

    CEO的激光二极管子模块可单独购买,也可用于150多种标准二极管散热器设计。子模块采用CEO的银弹或金弹封装技术。这些器件采用长寿命二极管条,并提供CW和QCW两种工作模式。标准可用波长(nm):790-820、872-890、930-950、970-990(也可定制波长)可用输出功率(CW):100 W/bar可用输出功率(QCW):300 W/bar.

  • V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 894.6 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.78 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00140,是波长为895nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.3mW,阈值电流为0.61mA,正向电流为1.4mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4.6GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • CM96A1060CWG 半导体激光器
    波长: 1060 nm 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: G08型弯曲波导(CWG) 工作模式: CW/脉冲 输出功率(脉冲): 1000 mW

    II-VI CM96A1060CWG 波长稳定的高功率单模激光二极管模块包含G08型弯曲波导(CWG)1060 nm激光二极管。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许非常高的输出功率,并且随时间和温度稳定。泵模块采用保持偏振的光纤尾纤和光纤布拉格光栅设计,以增强波长和功率稳定性性能。器件可实现1W的高无扭结输出功率。

  • CM97-750-76PM 半导体激光器
    波长: 976 nm 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 光谱半高宽(FWHM): 0.2 nm 阈值电流: 60-80mA

    来自II-VI Incorporated的CM97-750-76PM波长为976±1nm,被设计为掺铒光纤放大器(EDFA)应用的泵浦源。CM97-750-76PM泵浦模块采用光纤布拉格光栅(FBG)设计,以增强波长和功率稳定性。该产品的设计可确保优于驱动电流和外壳温度的波长锁定。可提供750mW的无扭结输出功率,可应用于光纤激光器,传感技术,EDFA。有关CM97-750-76PM的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1064B 半导体激光器
    波长: 1063.5 nm 类型: CW/脉冲 技术: 分布式反馈(DFB) 输出功率(脉冲): 800 mW 输出功率: 200 mW

    II-VI CMDFB1064B下一代波长稳定高功率单频单模激光模块被设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。位于激光腔中的分布式反馈光栅(DFB)可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率,这些功率在时间和温度下都非常稳定。

  • 蓝光高功率半导体激光器 E-Lyrae系列,450 nm高功率激光模块 半导体激光器
    美国
    中心波长: 450 um 输出功率: 30000 mW

    E-Lyrae系列:450 nm高功率激光模块,基于关于E-Lyrae系列多发射器模块技术,针对蓝光激光器芯片特性进行优化,由电子控制系统集成。内置驱动器,另外一款没有。这两种产品皆有。

  • 795S-0000-x002 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: 自由空间VCSEL 芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 应用行业: 位置传感,运动控制,医疗设备,打印,测量和光谱传感(例如原子钟)

    来自Vixar的795S-0000-x002,是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃,0.1-0.25mW@25℃,0.04-0.16mW@95℃,阈值电流为0.6-0.9mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4GHz,符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装。可应用于位置传感、运动控制、医疗设备、印刷、测量和光谱传感(如原子钟)。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。

  • Lyrae series 半导体激光器
    美国
    波长: 450 nm 纤芯直径: 114μm

    E-Lyrae系列:450 nm高功率激光模块,输出功率有30W,60W和80W三种,基于关于E-Lyrae系列多发射器模块技术,针对蓝光激光器芯片特性进行优化,由电子控制系统集成。内置驱动器,另外一款没有。这两种产品皆有。

  • PH778DBR Series 半导体激光器
    美国
    厂商:Photodigm, Inc
    波长: 778 nm

    来自Photodigm,Inc的PH778DBR系列是一款激光二极管,波长为778nm,输出功率(CW)为40mW-180mW,提供蝶形,TO-8,C-Mount和Mercury等封装.PH778DBR系列的更多详情见下文。

  • BW10-1060-T-TO 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1060 nm 工作电流(CW): 5-6 mA

    Bandwidth10的1060nm TO-can是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆级、低成本的制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针帽封装,带有ASP透镜。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围高达50nm。

  • BW10-1550-T-T7 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1550 nm

    Bandwidth10的BW10-1550-T-T7是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺,为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于波长稳定,采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps,典型的调谐范围为10纳米。TOSA可用于通过C-和L-波段的几个波段。

  • BW10-1550-T-P 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1050 nm

    Bandwidth10的1550nm PM可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模式1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆级的低成本制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针TOSA封装,永久连接光纤。辫子式TOSA有FC/APC和LC/APC连接器可供选择。它提供超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围为10nm。