法国半导体激光器产品目录_生产厂家

1746-1825 uniMir: 单模DFB QCL / 宽带Fabry Perot QCL

法国

分类：半导体激光器

厂商：mirSense

中心波长: 0.56um 输出功率: 10mW

Unimir产品线提供4µm–10µm（2500 cm-1–1000 cm-1）的单模量子级联激光器（单模DFB QCL）或宽带激光器（Fabry Perrot）。Unimir激光器在室温下工作，没有低温系统，以脉冲或连续波发射。

1855-1945 uniMir: 单模DFB QCL / 宽带Fabry Perot QCL

法国

分类：半导体激光器

厂商：mirSense

中心波长: 0.526um 输出功率: 5mW

Unimir产品线提供4µm–10µm（2500 cm-1–1000 cm-1）的单模量子级联激光器（单模DFB QCL）或宽带激光器（Fabry Perrot）。Unimir激光器在室温下工作，没有低温系统，以脉冲或连续波发射。

1955-1976年，UNIMIR :单模DFB QCL / 宽带Fabry Perot QCL

法国

分类：半导体激光器

厂商：mirSense

中心波长: 0.508um 输出功率: 5mW

Unimir产品线提供4µm–10µm（2500 cm-1–1000 cm-1）的单模量子级联激光器（单模DFB QCL）或宽带激光器（Fabry Perrot）。Unimir激光器在室温下工作，没有低温系统，以脉冲或连续波发射。

多米

法国

分类：半导体激光器

厂商：mirSense

技术: Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 3 to 12 um 输出功率: 1 to 10 mW 类型: Free Space Laser Diode

来自MIR SENSE的MultiMIR是波长为3至12微米、输出功率为1至10毫瓦、输出功率为1至10毫瓦、输出功率（连续波）为1到10毫瓦，输出功率（脉冲）为1到10毫瓦的激光二极管。有关Multimir的更多详细信息，请联系我们。

权力的米尔

法国

分类：半导体激光器

厂商：mirSense

技术: Quantum Well 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 4.65 to 4.84 um 输出功率: 1.6 W 横模: TEM00

Mir Sense的PowerMir是一款激光二极管，工作范围为4.6至4.8µm.它工作在准连续/连续模式下，输出功率高达1.63W.该激光二极管具有2.3mrad的平行光束发散角和4.3mrad的垂直光束发散角。它需要24 V直流电源，支持USB和TTL接口。激光二极管采用HHL封装，是国防应用的理想选择。

统一的Mir

法国

分类：半导体激光器

厂商：mirSense

技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 4 to 10 um 输出功率: 50 mW 工作电压: 10.3 V

来自MIR SENSE的UNIMIR是一个激光二极管，波长为4至10 um，输出功率为50 MW，工作电压为10.3 V，工作电流为0.78 A.有关UNIMIR的更多详细信息，请联系我们。

1948RxM 超低功耗14xx/15xx nm泵浦模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

目标波长: 1420-1510nm 中心波长偏差: -0.5nm +0.5nm 操作泵浦功率: 300mW-500mW 最小操作泵浦功率: 50mW 带内功率: 80%

1948RxM Ultra-Low Power Consumption 14xx/15xx nm泵浦模块，专为拉曼放大设计，采用内部芯片技术，提供卓越的性能、功耗和可靠性。

1064CHP 500 mW 1060 nm冷却种子/泵浦激光模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W

1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波（CW）光纤激光应用而设计的种子源，也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。

980nm泵浦模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表操作模式: CW (Continuous Wave)

3SP Technologies提供的980nm泵浦模块，适用于光纤激光器泵浦源等多种应用，具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块，采用冷却的14针或10针蝴蝶封装，带有背面监视光电二极管。

1064CHP 1030 nm高功率单模激光模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 150-170 mW 峰值波长: 1025-1045 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.0 W

1064CHP 150 mW 1030 nm高功率单模激光模块是为需要在1025-1045 nm范围内工作波长的脉冲和CW光纤激光应用而设计的种子源，也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用，具备高工作功率和宽温度范围。

1999PLU 980纳米未冷却泵浦模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

阈值电流: 85 mA 标称工作功率: 100-300 mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 225-600 mA 正向电压: 1.75-2.1 V

1999PLU是一款新一代980纳米未冷却泵浦模块，采用内部芯片技术，专为紧凑型和功率效率要求高的应用设计，通过Telcordia GR-468-CORE认证，符合RoHS标准。具备高达300mW的工作功率，适用于EDFA、多泵浦架构和传感器等应用。

1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

工作温度范围: 0至75°C 无折射功率: >275mW 封装类型: mini-DIL 波长锁定: Fiber Bragg Grating (FBG) 静态放电防护: 5kV

3SP Technologies的1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块专为需要紧凑尺寸和低功耗的应用而设计，采用mini-DIL封装，内置新开发的用于宽温范围（0至75°C）无冷却操作的激光芯片，芯片完全符合Telcordia建议。可提供超过275mW的无折射功率。波长通过位于单模偏振保持光纤（PMF）尾纤中的光纤布拉格光栅（FBG）来锁定。

1999UMM 980nm非制冷泵浦激光模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

阈值电流: 100 mA 标称工作功率: 50-250 mW 正向电流: 300-500 mA 正向电压: 1.9 V 峰值波长容差: ±0.5 nm

1999UMM是最新一代980纳米非制冷泵浦模块，采用公司内部芯片技术，专为需要紧凑性和功率效率的应用而设计。该模块采用超紧凑的3针微型封装，提供高达250毫瓦的工作功率。适用于高比特率相干收发器和掺铒光纤放大器。

1999UMM 275 mW 980纳米未冷却泵浦激光模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

阈值电流: 100mA 标称工作功率: 50-250mW 正向电流: 300-500mA 正向电压: 1.9V 峰值波长容差: ±0.5nm

1999UMM 275 mW Kink-Free FBG Stabilized 980纳米未冷却泵浦激光模块，采用超紧凑封装，不集成NTC热敏电阻和背面监测光电二极管，适用于需要紧凑型和功率效率的应用场景，掺铒光纤放大器和传感器。

1999UMM系列 980nm 3-pin无冷却泵浦模块

法国

分类：半导体激光器

厂商：3SP Technologies

工作温度范围: 0-80°C 波长锁定技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 芯片合格标准: 超过Telcordia推荐电静态放电阈值: 2000V 最大外壳温度: 80°C

3SP Technologies的1999UMM系列980nm 3-pin无冷却泵浦模块专为尺寸超紧凑和低功耗的应用而设计。该产品具有3-pin“披萨盒”尺寸优化封装，内置专为无冷却操作而开发的激光芯片，可在0至80°C的宽温度范围内运行，芯片完全符合Telcordia推荐标准。波长通过模块封装内的光纤布拉格光栅(FBG)锁定在单模光纤(SMF)尾纤上。