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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
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V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）
厂家：Vixar Inc.
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APA4501040001 波长为840nm、850nm、860nm激光二极管
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
光电查为您提供107个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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产品型号 :980LD 这些光纤耦合 980 nm 半导体激光管作为现货提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 大多数版本与我们的高速纳秒脉冲驱动器或连续驱动器兼容（高功率多模版本半导体激光管本具有风冷）。 单模 980 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 1500 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 980nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部TTL 信号生成。 提供 7 种多模版本，用于高达 450 W 的连续输出。它们耦合在高达 150 W 的 106 µm 纤芯多模光纤 (NA=0.22)、高达 250 W 的 135 µm 纤芯和高达 450 W 的 200 µm 纤芯中。
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激光类型: Continuous Wave (CW), Pulsed 波长: 1470 nm产品型号 :1470LD or 1480LD 这些光纤耦合 1470 nm半导体激光管作为现货提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器相集成作为整体光源模块交付。 两个型号的蝶形 DFB版本是高达 40 mW 的单频版本。 它们与我们的低噪声连续或脉冲高速纳秒脉冲驱动器兼容，这使其成为 热表面激光物质相互作用系统或Er 3+ -离子泵浦的较优解。 由于采用了 DFB 或布拉格光栅技术，单模 1470 nm半导体激光管在连续状态下非常稳定且噪声很低。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1470nm半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需求由外部 TTL 信号生成。
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波长: 1064 nm1064nm蝶形激光二极管。高达700 MW CW.兼容Option-1（光纤连接器）、Option-2（3 mm光束准直器）和Option-6（带FBG的窄发射光谱）
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波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg开放式CW驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单模光纤输出高达700 MW的CW光功率。与Option-2（3 mm光束准直器）和Option-6（带FBG的窄光谱）兼容。
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波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg开放式脉冲和连续波驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW的连续波光功率和700 MW的脉冲功率；脉冲持续时间低至1.5ns；脉冲重复频率高达4 MHz.与选件2（3 mm光束准直器）、选件3（250 MHz版本）和选件6（带布拉格光栅的窄发射光谱）兼容。
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波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg开放式脉冲和连续波驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW连续波光功率和1500 MW脉冲功率；脉冲持续时间低至1.5ns；脉冲重复频率高达10 MHz.与Option-2（3 mm光束准直器）和Option-3（250 MHz版本）兼容。
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波长: 1064 nm 技术: DFB1064nm DFB激光二极管。高达200毫瓦连续波，500毫瓦脉冲；CW中的~200 kHz发射带宽。与Option-1（光纤连接器）和Option-2（3 mm光束准直器）兼容。注：这些二极管不适用于CW模式中的模式跳变是临界点的应用。
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波长: 1064 nm 技术: DFB开放式超低噪声CW驱动器，配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单频应用需要低噪声驱动器。单模光纤输出高达200 MW的连续波光功率。与Option-2（3mm光束准直器）兼容。注：这些二极管不适用于CW模式中的模式跳变是临界点的应用。
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波长: 1064 nm 技术: Ultra Broad FBG具有布拉格光栅和宽发射带宽（>2nm）的1064nm蝶形激光二极管。平均功率500兆瓦；峰值功率>1800 MW；选项1（光纤连接器）和选项2（3毫米光束准直器）。
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波长: 1064 nm 技术: Multimode高功率激光二极管在105/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）的1064 nm波长下发射高达9 W的功率，并配有SMA905光学连接器。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。
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波长: 1064 nm 技术: Multimode高功率激光二极管在105/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）的1064 nm波长下发射高达25 W的功率，并配有SMA905光学连接器。与选项6兼容：高功率准直器。
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波长: 808 nm 技术: Butterfly single mode808nm蝶形激光二极管。高达250 mW CW.配有900µm光纤缓冲器和FC-APC光纤连接器的Hi780光纤。与选项1：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）兼容。
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波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）发出高达35 W的功率，并配有SMA905光纤连接器。与选项7：高功率准直器（见下文）兼容。
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波长: 808 nm 技术: Multimode single emitter高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）发出高达10 W的功率，并配有SMA905光纤连接器。与选项7：高功率准直器（见下文）兼容。
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波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）中发射高达60 W的功率。裸光纤输出。兼容Option-6（高功率SMA连接器）和Option-7：高功率准直器（见下文）。
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波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter在200/220/250µm多模激光二极管（NA=0.22）中，高功率激光二极管在808 nm处发射高达100 W的功率。裸光纤输出。
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波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter在200/220/250µm多模激光二极管（NA=0.22）中，高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。
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波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter在200/220/250µm多模激光二极管（NA=0.22）中，高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。
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波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode1053nm蝶形激光二极管。高达120 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。兼容选项1：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时，达到1053 nm波长（所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器）。
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波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode1053nm蝶形激光二极管。高达300 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。与选项1bis：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）兼容。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时，达到1053 nm波长（所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器）。