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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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QDFBLD-1530-20
厂家：QPhotonics
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qfbgld-1060-200
厂家：QPhotonics
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LDX-3210-760
厂家：RPMC Lasers Inc.
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DFB-0773-075
厂家：Sacher Lasertechnik
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DFB-0937-030
厂家：Sacher Lasertechnik
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DFB-1083-080
厂家：Sacher Lasertechnik
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发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mAV25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。
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发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nmVM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。
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发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 数据速率: 高达 112 Gbit/s 56 GBaud/s PAM-4 阈值电流: < 0.6 mA 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHzVM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片作为工程样品，可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。
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发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/sVM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导，以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触，使用地-源-地（GSG）微探针或金属线键合。
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目标波长: 1420-1510nm 中心波长偏差: -0.5nm +0.5nm 操作泵浦功率: 300mW-500mW 最小操作泵浦功率: 50mW 带内功率: 80%1948RxM Ultra-Low Power Consumption 14xx/15xx nm泵浦模块，专为拉曼放大设计，采用内部芯片技术，提供卓越的性能、功耗和可靠性。
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阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波（CW）光纤激光应用而设计的种子源，也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。
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封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)3SP Technologies提供的980nm泵浦模块，适用于光纤激光器泵浦源等多种应用，具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块，采用冷却的14针或10针蝴蝶封装，带有背面监视光电二极管。
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阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 150-170 mW 峰值波长: 1025-1045 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.0 W1064CHP 150 mW 1030 nm高功率单模激光模块是为需要在1025-1045 nm范围内工作波长的脉冲和CW光纤激光应用而设计的种子源，也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用，具备高工作功率和宽温度范围。
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阈值电流: 85 mA 标称工作功率: 100-300 mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 225-600 mA 正向电压: 1.75-2.1 V1999PLU是一款新一代980纳米未冷却泵浦模块，采用内部芯片技术，专为紧凑型和功率效率要求高的应用设计，通过Telcordia GR-468-CORE认证，符合RoHS标准。具备高达300mW的工作功率，适用于EDFA、多泵浦架构和传感器等应用。
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工作温度范围: 0至75°C 无折射功率: >275mW 封装类型: mini-DIL 波长锁定: Fiber Bragg Grating (FBG) 静态放电防护: 5kV3SP Technologies的1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块专为需要紧凑尺寸和低功耗的应用而设计，采用mini-DIL封装，内置新开发的用于宽温范围（0至75°C）无冷却操作的激光芯片，芯片完全符合Telcordia建议。可提供超过275mW的无折射功率。波长通过位于单模偏振保持光纤（PMF）尾纤中的光纤布拉格光栅（FBG）来锁定。
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阈值电流: 100 mA 标称工作功率: 50-250 mW 正向电流: 300-500 mA 正向电压: 1.9 V 峰值波长容差: ±0.5 nm1999UMM是最新一代980纳米非制冷泵浦模块，采用公司内部芯片技术，专为需要紧凑性和功率效率的应用而设计。该模块采用超紧凑的3针微型封装，提供高达250毫瓦的工作功率。适用于高比特率相干收发器和掺铒光纤放大器。
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阈值电流: 100mA 标称工作功率: 50-250mW 正向电流: 300-500mA 正向电压: 1.9V 峰值波长容差: ±0.5nm1999UMM 275 mW Kink-Free FBG Stabilized 980纳米未冷却泵浦激光模块，采用超紧凑封装，不集成NTC热敏电阻和背面监测光电二极管，适用于需要紧凑型和功率效率的应用场景，掺铒光纤放大器和传感器。