Excelitas Technologies半导体激光器产品目录

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.780um 输出功率: 60mW

IFLEX-Q3™是一款紧凑型激光二极管模块，配有小型激光头和远程电子模块。作为主动温度控制的直接结果，激光器是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性和通过外部输出信号监控功率的能力。二极管激光系统保证了长寿命，并以低幅度噪声提供出色的功率稳定性。所有型号均标配激光器电流和温度的联锁和输出诊断功能。

低功率iFLEX-Viper多波长激光器405nm 25mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 25mW

iFlex-Viper™是一款小型多线激光源，配有单模光纤传输系统。多达五个单独的激光器（选自405、445、488、532、561、640和780nm范围）被有效地组合并通过单模保偏光纤传输。作为主动温度控制的直接结果，该系统是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性。IFLEX-VIPER保证使用寿命长，并提供出色的功率稳定性和低振幅噪声。新颖的设计和专有的制造工艺消除了用户对内部激光源进行对准的需要，激光到光纤耦合的运动学设计实现了真正的交钥匙安装和操作。

低功率iFLEX-Viper多波长激光器445nm 20mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.445um 输出功率: 20mW

iFlex-Viper™是一款小型多线激光源，配有单模光纤传输系统。多达五个单独的激光器（选自405、445、488、532、561、640和780nm范围）被有效地组合并通过单模保偏光纤传输。作为主动温度控制的直接结果，该系统是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性。IFLEX-VIPER保证使用寿命长，并提供出色的功率稳定性和低振幅噪声。新颖的设计和专有的制造工艺消除了用户对内部激光源进行对准的需要，激光到光纤耦合的运动学设计实现了真正的交钥匙安装和操作。

低功率iFLEX-Viper多波长激光器640nm 15mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.640um 输出功率: 15mW

iFlex-Viper™是一款小型多线激光源，配有单模光纤传输系统。多达五个单独的激光器（选自405、445、488、532、561、640和780nm范围）被有效地组合并通过单模保偏光纤传输。作为主动温度控制的直接结果，该系统是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性。IFLEX-VIPER保证使用寿命长，并提供出色的功率稳定性和低振幅噪声。新颖的设计和专有的制造工艺消除了用户对内部激光源进行对准的需要，激光到光纤耦合的运动学设计实现了真正的交钥匙安装和操作。

PGAx1S03H 脉冲激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

PGAx1S09H 脉冲激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

PGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

PGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Qioptiq 100mW iFLEX-iRIS - 637nm

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.637um 输出功率: 100mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

Qioptiq 200mW iFLEX-iRIS - 405nm

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 200mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

Qioptiq458nm iFLEX-iRIS 20mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.458um 输出功率: 20mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 405nm 130mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 130mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 405nm 50mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.405um 输出功率: 50mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 458nm 45mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.458um 输出功率: 45mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

Qioptiq iFLEX-iRIS - 488nm 100mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.488um 输出功率: 100mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 488nm 90mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.488um 输出功率: 90mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 633nm 20mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.633um 输出功率: 20mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

Qioptiq iFLEX-iRIS - 633nm 30mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.633um 输出功率: 30mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 637nm 65mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.637um 输出功率: 65mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 660nm 50mW

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。