- TT Electronics
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集电极发射极电压（击穿）
Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）
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集电极发射极电压（饱和）
Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）
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集电极暗电流
Collector-Dark Current（nA）
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发射极集电极电压（击穿）
Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）
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导通状态集电极电流
On-State Collector Current（mA）
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波长（光谱灵敏度）
Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP798B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流3.3至9.2 mA.有关OP798B的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP798C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.9至6.1 mA.有关OP798C的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP798D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.9至15 mA.有关OP798D的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP800A是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6 mA，功耗为250 MW.有关OP800A的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP800B是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA，功耗为250 MW.有关OP800B的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA，功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP800D是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.45 mA，功耗为250 MW.有关OP800D的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP801SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为0.5 mA至3 mA，功耗为250 MW.有关OP801SL的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA，功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2 mA至5 mA，功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2.5 mA，功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为4 mA至8 mA，功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为7 mA至22 mA，功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN
来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为15 mA，功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情，请联系我们。