已选
  • Light Avenue
参数:
  • 集电极发射极电压(击穿)

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)

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  • 集电极发射极电压(饱和)

    Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current(nA)

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  • 发射极集电极电压(击穿)

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current(mA)

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  • 波长(光谱灵敏度)

    Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)

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  • LA PT28AP1 光电晶体管
    德国
    分类:光电晶体管
    厂商:Light Avenue
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Phototransistor 集电极发射极电压(击穿): 6 V 集电极暗电流: 3 to 50 nA 发射极集电极电压(击穿): 1.5 V

    来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为6 V,集电极暗电流为3至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为1.5 V,波长(光谱灵敏度)为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息,请联系我们。