美国Marktech Optoelectronics成像产品目录

MTD5010N

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

来自Marktech Optoelectronics的MTD5010N是一款光电二极管，波长范围为850 nm，电容为8至15 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010N的更多详情见下文。

MTD5010W

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

来自Marktech Optoelectronics的MTD5010W是一款光电二极管，波长范围为850 nm，电容为8至15 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010W的更多详情见下文。

MTD5052N

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 525 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 暗电流: 5 to 30 pA

来自Marktech Optoelectronics的MTD5052N是一款光电二极管，波长范围为525 nm，电容为100 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.3 A/W.MTD5052N的更多详情见下文。

MTD5052W

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 525 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.3 A/W

来自Marktech Optoelectronics的MTD5052W是一款光电二极管，波长范围为525 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.3 A/W.有关MTD5052W的更多详细信息，请联系我们。

MTPC10.0PV1-5

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 47 to 120 pF 暗电流: 1.0 nA

来自Marktech Optoelectronics的MTPC10.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为47至120 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC10.0PV1-5的更多详情见下文。

MTPC5.0PV1-5

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 14 to 70 pF 暗电流: 1.0 nA

来自Marktech Optoelectronics的MTPC5.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为14至70 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC5.0PV1-5的更多详情见下文。

MTPD1346D-010

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 10 pF 暗电流: 1 uA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-010是波长范围为1300 nm、电容为10 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-010的更多详细信息，请联系我们。

MTPD1346D-030

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 uA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-030是波长范围为1300 nm、电容为15 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-030的更多详细信息，请联系我们。

MTPD1346D-080

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 2 uA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-080是波长范围为1300 nm、电容为45 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-080的更多详细信息，请联系我们。

MTPD1346D-100

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 60 pF 暗电流: 2 uA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-100是波长范围为1300 nm、电容为60 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-100的更多详细信息，请联系我们。

MTPD1346D-150

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 200 pF 暗电流: 2 uA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-150是波长范围为1300 nm、电容为200 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-150的更多详细信息，请联系我们。

MTPD1346D-200

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为7 MHz，电容为1260 PF，暗电流为160 uA，响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。

MTPD1346D-300

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为4.3 MHz，电容为2090 PF，暗电流为265 uA，响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。

MTPD1500D-2.5

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为1000 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

MTPD3650D-1.4

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。

MTPD4400D-1.4

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA

来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为300 PF，暗电流为10至30 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

MTPS15.0PV1-5

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA

来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为50至190 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。

MTSM1346SMF2-100

美国

分类：光电二极管

厂商：Marktech Optoelectronics

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管，工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF，击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装，尺寸为5 X 5 mm，是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装，比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

MTD6000PT-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息，请联系我们。

MTD8000N4-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。