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米拉220

奥地利

分类：CMOS图像传感器

厂商：ams OSRAM

色度: Near-Infrared 快门类型: Global Shutter 像素类型: BSI

欧司朗的Mira220是一款CMOS图像传感器，具有百万像素2.2 MP，帧速率90帧/秒，动态范围62 dB，信噪比40 dB.有关MIRA220的更多详细信息，请联系我们。

NanEyeC

奥地利

分类：CMOS图像传感器

厂商：ams OSRAM

色度: RGB, Bayer, B/W 快门类型: Rolling Shutter 像素类型: 4T shared, FSI RoHS: Yes 应用类型: Medical, Industrial

AMS Osram的Naneyec是一款CMOS图像传感器，具有百万像素0.1 MP，电源电压3.2至3.4 V，帧速率0至58帧/秒，动态范围60 dB，SNR 34 dB.有关Naneyec的更多详细信息，请联系我们。

SFH 206 K

奥地利

分类：光电二极管

厂商：ams OSRAM

欧司朗的SFH 206 K是一款光学探测器，波长范围为400至1100 nm，上升时间为0.02µs，暗电流为2至30 nA，电容为72 PF，响应度/光敏度光谱灵敏度为：0.62 A/W.SFH 206 K的更多详细信息见下文。

SFH 3201

奥地利

分类：光电晶体管

厂商：ams OSRAM

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 to 70 V

OSRAM的SFH 3201是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为170至250 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3201的更多详细信息，请联系我们。

SFH 325

奥地利

分类：光电晶体管

厂商：ams OSRAM

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）35 V，功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。

SFH 3400

奥地利

分类：光电晶体管

厂商：ams OSRAM

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 to 70 V

欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至10 nA，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息，请联系我们。

SFH 3600

奥地利

分类：光电晶体管

厂商：ams OSRAM

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息，请联系我们。

SFH 3605

奥地利

分类：光电晶体管

厂商：ams OSRAM

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

OSRAM的SFH 3605是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3605的更多详细信息，请联系我们。

EPD-1300-0-0.5

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 250 to 1000 pA 响应度/光敏度: 0.9 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-0.5是一款光电二极管，电容为45 PF，暗电流为250至1000 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-0.5的更多详细信息，请联系我们。

EPD-1300-0-3.0

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 1000 to 1300 pF 暗电流: 5 to 30 pA

Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-3.0是一款光电二极管，电容为1000至1300 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-3.0的更多详细信息，请联系我们。

EPD-1300-5-0.3

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1750 nm 光电二极管材料: GaP, InGaAs 电容: 11 pF 暗电流: 15 to 40 pA

Roithner Lasertechnik的EPD-1300-5-0.3是一款光电二极管，波长范围为800至1750 nm，带宽为780 nm，电容为11 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.EPD-1300-5-0.3的更多详情见下文。

EPD-365-0-1.4

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Gallium RoHS: Yes 电容: 250 pF

Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，带宽为85 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。

EPD-470-0-1.4

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.18 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-470-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.18 A/W.EPD-470-0-1.4的更多详细信息见下文。

EPD-470-5-0.5

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaN 暗电流: 20 to 50 pA 响应度/光敏度: 0.12 A/W

来自Roithner Lasertechnik的EPD-470-5-0.5是一款光电二极管，带宽为75 nm，暗电流为20至50 pA，响应度/光敏度为0.12 A/W.有关EPD-470-5-0.5的更多详细信息，请联系我们。

EPD-525-0-1.4

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 180 pF 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，电容为180 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-1.4的更多详情见下文。

EPD-525-0-2.5

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 350 pF 暗电流: 50 to 300 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-2.5是一款光电二极管，带宽为60 nm，电容为350 PF，暗电流为50至300 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-2.5的更多详情见下文。

EPD-660-5/0.5

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 50 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.42 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-660-5/0.5是一款光电二极管，带宽为170 nm，电容为50 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.42 A/W.EPD-660-5/0.5的更多详情见下文。

EPD-740-0/2.5

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, GaAs 响应度/光敏度: 0.5 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-740-0/2.5是一款光电二极管，带宽为115 nm，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.5 A/W.EPD-740-0/2.5的更多详细信息见下文。

EPD-740-5/0.4

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 40 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.5 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-740-5/0.4是一款光电二极管，带宽为115 nm，电容为40 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间为15 ns.有关EPD-740-5/0.4的更多详细信息，请联系我们。

EPD-880-0-1.4

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 590 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA

Roithner Lasertechnik的EPD-880-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为890 nm，带宽为680 nm，电容为590 PF，暗电流为1至2.5 nA，响应度/光敏度为0.3至0.55 A/W.EPD-880-0-1.4的更多详情见下文。