品牌:
更多

光电查为您提供5844个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • MTPD1346D-150 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 200 pF 暗电流: 2 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-150是波长范围为1300 nm、电容为200 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-150的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为7 MHz,电容为1260 PF,暗电流为160 uA,响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-300 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为4.3 MHz,电容为2090 PF,暗电流为265 uA,响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为1000 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPD3650D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPD4400D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为300 PF,暗电流为10至30 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPS15.0PV1-5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为50至190 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • APD28A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Macom
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1250 to 1650 nm RoHS: Yes

    Macom的APD28A是一款光电二极管,波长范围为1250至1650 nm,带宽为20 GHz,电容为40 PF,暗电流为1000 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息,请联系我们。

  • 1010BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 900 pF 暗电流: 0.16 to 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为900 PF,暗电流为0.16至10 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • 33BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.02 to 0.05 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为50 PF,暗电流为0.02至0.05 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • 55BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 暗电流: 0.04 to 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为200 PF,暗电流为0.04至2 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • A2V-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 170 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。

  • A2V-76 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 pF 响应度/光敏度: 0.50 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的A2V-76是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为160 PF,响应度/光敏度为0.50 A/W.A2V-76的更多详情见下文。

  • A5C-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5C-35是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为12 PF,暗电流为0.05 nA,响应度/光敏度为0.65 A/W.A5C-35的更多详细信息见下文。

  • A5C-38 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5C-38是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为12 PF,暗电流为0.05 nA,响应度/光敏度为0.65 A/W.有关A5C-38的更多详细信息,请联系我们。

  • A5V-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5V-35是一款波长范围为970 nm、电容为340 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A5V-35的更多详细信息见下文。

  • A5V-38 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的A5V-38是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为340 PF,响应度/光敏度为0.60 A/W.A5V-38的更多详情见下文。

  • APD02-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为1000 MHz,电容为1.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD05-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为900 MHz,电容为3 PF,暗电流为0.1至1 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。