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  GUVC-S10GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

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  GUVC-S40GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

  Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

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  GUVC-T10GD-L

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

  Genuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVC-T11GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

  Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管，工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成，提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V，光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性，是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

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  GUVC-T20GD-U

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

  Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-S10SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管，波长范围为240至395 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-T10GD-L

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

  Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-T20GD-U

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

  Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

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  GVBL-S12SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管，波长范围为345至450 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVBL-T12GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管，波长范围为330至445 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVGR-S11SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管，波长范围为295至490 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVGR-T10GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管，波长范围为300至510 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息，请联系我们。

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  PVA Series

  波兰

  分类：光电二极管

  厂商：VIGO Photonics

  模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 2000 to 5500 nm 光电二极管材料: InAs, InAsSbP

  Vigo System的PVA系列是InAs/InAsSb红外光伏探测器，工作波长为2至5.5µm.它们具有超过1.3A/W的电流响应度，并且基于外延InAs/InAsSb异质结构。这些探测器在高达300°C的温度下保持稳定，并且机械耐用。这些器件采用TO39封装，尺寸为0.1 X 0.1 mm.

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  EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Electro Optical Components

  模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

  来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

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  光电阴极X射线管

  俄罗斯

  分类：光电二极管

  厂商：Electron National Research Institute

  电源: Without Be window ≤ 40W With Be window≤ 100W

  冷阴极X射线管（PRT）使用内置光电倍增管（PMT）作为电子源，而不是传统的阴极。X射线由照射在PMT光电阴极上的光进行调节。发光二极管、灯或任何其他光源均可用作光源。PRT可应用于医学（X射线断层扫描）、生物学、X射线空间通信、X射线结构和X射线光谱分析设备。

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  PMT-175

  俄罗斯

  分类：光电二极管

  厂商：Electron National Research Institute

  暗电流: ≤2·10-8A

  PMT-175具有SbKCs光电阴极和线性14个阳极倍增系统。该装置用于多光谱研究，也可用于专用设备和气体传感器。

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  光电倍增管

  日本

  分类：光电二极管

  厂商：Hamamatsu Photonics

  接近角: 300-650 Degree 有效区域: 1*3

  我们利用我们独特的微细加工技术来设计和开发各种微型 PMT，这些 PMT 体积小巧轻便，同时保持了光电倍增管众所周知的高性能。 Micro PMT器件采用MEMS技术的阳极键合，将硅基板与玻璃基板连接在一起，因此具有很强的抗冲击性。这种高缓冲或抗冲击性使其成为开发高性能手持式测试和分析设备的理想选择。

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  C30902SH Series（系列） 雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μm

  Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

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  C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

  Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

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  C30817EH series（系列）硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees

  C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。