• 雪崩式光电探测器MTAPD-06-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф230um)0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

  • 雪崩式光电探测器MTAPD-06-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф500um)2 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

  • MTAPD-06-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-002 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-002是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-002的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-003 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-003的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-004 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-004是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-004的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-005是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-005的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-006 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-006是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-006的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-007 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-007是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-007的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-008 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-008是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-008的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-009 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-009的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-010 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-010是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-010的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-011 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-011的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-012 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-012的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-013 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-013是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-013的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-014 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-014的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-015的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-016 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-016的更多详细信息,请联系我们。

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