3300系列是开面、微通道板（MCP）、电阻式阳极编码器（Rae）位置敏感探测器头，用于带电粒子和高能光子探测，包括标准或涂层（如CSI、KBr）MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线，在真空中运行（完全UHV兼容）。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造，以获得较大的UHV兼容性真空压力；在操作中，单个入射事件（粒子或光子）撞击MCP检测器表面并导致电子级联，其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置，MCP在增益饱和模式下工作，以帮助确保事件间相对恒定的增益，从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф230um）0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф500um）2 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD（LCC）类型，并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR（800nm）增强型500µm直径APD，可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。

Kigre B1675是一款兼容蓝牙®的微型驱动器，针对Kigre DPSS系列激光器（包括MK11、MK81、MK82和MK85）进行了优化。该驱动器提供100A方波电流脉冲（高达3ms），典型I/O效率为92%。特性包括反向输入电压和电流保护、欠压（UVP）和过压（OVP）保护以及电池应用的软启动输入电流斜升。还包括先进的激光二极管保护、外部光电二极管偏置（用于泵电流关断）和短路输出保护。

C-RED 3专为短曝光时间应用而设计，是用于短波红外（SWIR）成像的较快VGA非制冷相机。C-RED 3使用像素间距为15μm的Tecless 640 X 512 InGaAs PIN光电二极管探测器，以获得高分辨率，该探测器嵌入了集成脉冲短于5μs的电子快门。我们的自适应偏置允许在任何可变温度环境中使用相机。自主，超紧凑，也可在OEM中使用，C-RED 3为每个应用和每个预算提供解决方案。

在连续波中测量激光器。它们通常安装在结上，这意味着在焊盘上偏置为负，在底座上偏置为正。使用电源ILX LightWave LDX-3232或同等产品。

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