• 雪崩式光电探测器MTAPD-06-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф230um)0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

  • 雪崩式光电探测器MTAPD-06-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф500um)2 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

  • 雪崩照片=检测器MTAPD-05-003 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD(LCC)类型,并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR(800nm)增强型500µm直径APD,可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。

  • 激光二极管 faxd-905-0.5w-50-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 500mW

    FAXD-905-0.5W-50-XX是一款多模半导体激光器在905nm处具有0.5W连续输出功率的二极管。发射体尺寸为50µm。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-905-100s-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 100mW

    FAXD-905-100S-XX是一种单模半导体激光二极管,在905nm波长下连续输出功率为100 MW。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FIDL-1000M-905X-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-905X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-905X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-10S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 10mW

    FIDL-10S-905X是905nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-10S-905X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-20S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-905X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-30S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-50S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 50mW

    FIDL-50S-905X是用MOCVD半导体激光器制备的905nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-50S-905X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。在25 C下的预期寿命超过5000小时。FIDL-5S-905X是一种采用SOT-242 5.6mm的CW单模注入半导体激光二极管内置监控光电二极管,可稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FKLD-10S-905-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-905-70X是905nm InGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-905-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于传感器应用和其他光电系统。

  • 低成本的硅雪崩光电二极管SAH-系列 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    APD 类型: Si 工作波长: 905nm 工作波长范围: 400 - 1000 nm

    SAH230M2和SAH500M2是采用微型SMD封装的低成本通用硅APD。响应性针对850nm和905nm测距仪进行了优化。

  • ML20A15 脉冲二极管激光器模块 半导体激光器
    中国大陆
    输出功率: 20W 脉宽: 15 - 15 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    这些脉冲激光二极管模块的峰值输出功率高达100W,脉冲宽度范围为7至50ns,具有快速上升和下降时间。ML系列脉冲激光模块在905nm波长下提供高达100W的峰值输出功率。这些单元包括激光二极管、聚焦透镜和脉冲驱动电子设备,并且仅需要调节的DC输入电压和TTL定时触发器来操作。ML系列脉冲发生器是需要高峰值脉冲功率的理想应用,例如测距和激光雷达。

  • 零阶波板10mm-Z-L/2-905nm 偏振光学元件
    波形板类型: Zero Order 材料: Quartz 安装: Mounted, Unmounted 形状: Round 尺寸: 10mm

    Tower的10毫米零级波片为用户提供了8毫米通光孔径的高性能晶体石英延迟器。这些波片是空气间隔的,在形成零级能力的两个晶体石英片之间具有不锈钢间隔物。零级波片对温度变化的敏感度远低于多级波片。空气间隔波片比接触或胶合波片具有更高的热稳定性和功率处理能力。不会像接触的波片分开那样发生故障。波片的角度对准也更精确。塔式光学标准10mm波片由激光质量晶体石英制成,并涂有AR涂层。每块板的两面都涂有AR涂层。标准延迟为½或¼波。这些波片可以是未安装的,直径为10毫米,也可以安装在12.7毫米或25.4毫米的阳极氧化铝安装环上,通光孔径为8毫米。可用的标准波长如下图所示。作为一项特殊功能,Tower能够提供10毫米零级波片,其波长范围为10–20纳米,与图表中列出的任何波长范围不同。其他波长可在定制订单的基础上提供。

  • 零阶波板10mm-Z-L/4-905nm 偏振光学元件
    波形板类型: Zero Order 材料: Quartz 安装: Mounted, Unmounted 形状: Round 尺寸: 10mm

    Tower的10毫米零级波片为用户提供了8毫米通光孔径的高性能晶体石英延迟器。这些波片是空气间隔的,在形成零级能力的两个晶体石英片之间具有不锈钢间隔物。零级波片对温度变化的敏感度远低于多级波片。空气间隔波片比接触或胶合波片具有更高的热稳定性和功率处理能力。不会像接触的波片分开那样发生故障。波片的角度对准也更精确。塔式光学标准10mm波片由激光质量晶体石英制成,并涂有AR涂层。每块板的两面都涂有AR涂层。标准延迟为½或¼波。这些波片可以是未安装的,直径为10毫米,也可以安装在12.7毫米或25.4毫米的阳极氧化铝安装环上,通光孔径为8毫米。可用的标准波长如下图所示。作为一项特殊功能,Tower能够提供10毫米零级波片,其波长范围为10–20纳米,与图表中列出的任何波长范围不同。其他波长可在定制订单的基础上提供。

  • SPL PL90_3 905nm脉冲激光二极管,峰值功率75W 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    输出功率: 75 W 激光波长: 905 um 脉宽: 0 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    905nm;峰值功率75W;塑封封装;;脉冲激光二极管

  • FL905-10 滤光片
    美国
    分类:滤光片
    厂商:索雷博
    过滤器类型: Laser Line Filter 波长: 900 to 990 nm 半高宽(FWHM): 10 nm FWHM公差: ± 2 nm 阻挡波长: 200 to 1150 nm

    来自Thorlabs Inc的FL905-10是波长为900至990nm、中心波长(CWL)为905nm、带宽(FWHM)为10nm、阻挡波长为200至1150nm、滤波器直径为25.4mm(1英寸)的光学滤波器。有关FL905-10的更多详细信息,请联系我们。

  • FL905-25 滤光片
    美国
    分类:滤光片
    厂商:索雷博
    过滤器类型: Laser Line Filter 波长: 900 to 990 nm 半高宽(FWHM): 25 nm FWHM公差: ± 5 nm 阻挡波长: 200 to 1150 nm

    来自Thorlabs Inc的FL905-25是波长为900至990nm、中心波长(CWL)为905nm、带宽(FWHM)为25nm、阻挡波长为200至1150nm、滤波器直径为25.4mm(1英寸)的光学滤波器。有关FL905-25的更多详细信息,请联系我们。

  • 强化1110 半导体激光器
    美国
    厂商:Intense Limited
    应用行业: production Process, Market Sectors, Defence and Security, Medical, Commercial, Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 905 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 V

    来自Intense Limited的Intense 1110是波长为905nm、输出功率为1W、输出功率为1W、工作电压为2V、工作电流为1.3A的激光二极管。Intense 1110的更多细节可参见下文。