Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф230um）0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф500um）2 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD（LCC）类型，并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR（800nm）增强型500µm直径APD，可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。

使用碲镉汞（MCT）半导体材料的电子引发雪崩光电二极管（E-APD）的发现使短波红外成像取得了重大突破。C-Red One使用独特的320 X 256像素HgCdTe E-APD阵列，像素间距为24μm。该传感器允许亚电子读出噪声，利用E-APD无噪声倍增增益和非破坏性读出能力。C-RED One还能够进行多个感兴趣区域（ROI）读出，允许更快的图像速率（10-kHz），同时保持前所未有的亚电子读出噪声。传感器使用具有高可靠性的集成脉冲管冷却至低温（80 K）。C-RED ONE在SWIR科学相机领域的灵敏度和速度方面开创了一个新时代。

微型激光测距仪（MLRF）是我们的二极管泵浦人眼安全激光测距仪产品系列中较小、较轻的成员。MLRF重量不到470克，发射标称5 MJ输出能量，优化的光束发散度和灵敏的APD接收器，即使是较苛刻的用户也能在坚固耐用、轻便紧凑的封装中获得卓越的性能。DP-ELRF I MLRF提供高达20公里的测距能力，39.9公里的测距门和5兆焦耳的标称能量。总重量为470克，尺寸为5英寸长X 2.7英寸宽X 1.9英寸高。该激光范围研磨机采用二极管泵浦铒：玻璃、雪崩光电二极管探测器（APD）、脉冲重复频率≤1 Hz标称值、14至32 VDC和MIL-STD测试环境。

二极管泵浦人眼安全激光测距仪（DP-ELRF）II是一款1级人眼安全远程激光测距仪，其改进功能超越了L3Harris的传统闪光灯产品系列。即使在较苛刻的操作环境中，激光束发散性、激光瞄准线保持力、系统寿命和接收器灵敏度的改进也能带来卓越的产品性能。改进的DP-ELRF II可保持稳定的1级眼睛安全操作和坚固的环境硬化。DP-ELRF II提供高达20 km的测距能力，5 MJ标称能量，二极管泵浦铒：玻璃，脉冲重复频率≤2 Hz，≤450μrad光束发散度和雪崩光电二极管探测器（APD）。该激光测距仪符合ANSI-Z136.1-2007和IEC 60825-1 1级人眼安全标准，并具有用于电源和通信的单一连接器接口。

FastGateDSPAD模块是一款紧凑型检测模块，能够选通硅SPAD，用于宽动态范围光学测量。该模块包括一个快速脉冲发生器，在高达80 MHz的重复率下，门控转换低于200 PS，具有完全可编程的导通时间和过量偏置。差分前端电子设备拾取具有低时序抖动的雪崩脉冲。该模块也可以在自由运行模式下运行，SPAD始终开启。该模块的主要特点是由于快速的开关转换，可以增加TCSPC系统的动态范围。因此，通过仅在明确定义的时间窗口中启用检测器，可以从巨大的背景中提取弱信号。通过使用外延SPAD和优化的微波布局来减少快速门转换后电压振荡的影响，获得了良好的光子探测效率和时间分辨率。FastGateDSPAD模块通过PC软件界面进行控制，其中可以设置所有相关的门参数（int./ext。触发、门频率、门宽度）和探测器的所有参数：温度、过量偏压和截止时间。通过这种方式，可以在DCR、截止时间和光子探测效率方面调整探测器性能，以便适当地匹配用户应用的要求。

雪崩光电二极管

高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO是一款TO-46封装的InGaAs引脚PD器件，具有高灵敏度TIA，可用于高达2.5Gbps的光纤通信网络应用。引脚PD/TIA安装在TO-46针座上，并用镜头盖密封。高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO具有宽输入动态范围，支持不同的传输距离要求。它的典型输入过载为3dBm，支持短距离光纤系统。此外，-30.0 dBm的典型输入灵敏度允许在噪声环境中检测非常小的信号，使其成为高分流比PON网络的理想选择。高灵敏度2.5Gbps引脚TIA TO具有超高灵敏度，无需使用雪崩光电二极管即可精确检测光学数据。

ID Qube NIR自由运行为电信波长自由运行模式下的单光子探测带来了重大突破。它为异步光子检测必不可少的应用（如光子相关或飞行时间测量）提供了一种经济高效的解决方案。此外，它特别适用于激光雷达等对紧凑性要求很高的应用。探测器提供了一个专用的门输入端口连接器，以避免饱和或不需要的探测。冷却的InGaAs/InP雪崩光电二极管和相关电子设备经过专门设计，可在自由运行模式下实现低暗计数和后脉冲速率。该设备有自由空间或光纤耦合版本（MMF62.5），与SMF和MMF62.5光纤兼容。

ID Qube NIR选通是一种针对电信波长优化的快速选通单光子探测器。它为量子通信，特别是量子密钥分配等需要同步光子探测的应用提供了一种经济有效的解决方案。它也非常适合需要紧凑的激光雷达等应用。探测器提供门输入设计，以避免饱和或不需要的检测，也可以在自由运行模式下运行。冷却的InGaAs/InP雪崩光电二极管和相关电子设备经过专门设计，以实现快速门控操作的低暗计数和后脉冲速率。该设备有自由空间或光纤耦合版本（MMF62.5），与SMF和MMF62.5光纤兼容。

走！Foton的雪崩光电二极管（APD），前照式，适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD，在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。

InGaAs雪崩光电二极管。

InGaAs雪崩光电二极管

InGaAs雪崩光电二极管。

定制的硅APD阵列具有高灵敏度和低串扰，针对800-900 nm波长范围进行了优化。可以容易地以从8到16个元件的可变尺寸来配置阵列。更高的像素计数和多行配置也是可能的。其他选项包括集成电子设备和带通滤波器。

SAH230M2和SAH500M2是采用微型SMD封装的低成本通用硅APD。响应性针对850nm和905nm测距仪进行了优化。

PDC模块是单光子检测载体，其能够适当地偏置在所谓的“盖革模式”中操作的任何硅雪崩二极管，这意味着在击穿电压（BV高达480V）以上操作，使得单个入射光子触发已经大到足以被检测并被计数为电子脉冲的电子雪崩。它们还充分利用了探测器在探测光子到达时间方面的内部性能，并能够保护器件免受过热造成的损坏。为了实现量子探测效率和暗计数率之间的折衷，BV以上的过电压可在5V至18V之间调节。快速定时电子板充分利用了测量光子到达时间的器件性能。通过易于配置的珀尔帖控制器，该模块可以操作安装在冷却器上的具有温度传感器（NTC或PTC）的设备。内置的电流和温度监控器可防止探测器设备过热（例如，在日光照明的情况下）。专利集成有源淬火电路（IAQC）专为光子计数应用而设计和优化，使PDC成为便携式设备和所有需要低功耗应用的理想选择。

PDM系列光子计数探测器模块均为固态仪器。它们在550nm处具有49%的光子探测效率，并且每个探测到的光子产生TTL输出脉冲。通过快速定时选项（安装额外的电路板），它们提供优于50ps FWHM的光子定时分辨率。通过使用外延硅单光子雪崩二极管（SPAD）和获得专利的集成有源猝灭电路（IAQC），可获得出色的光子探测效率和出色的时间分辨率，这些器件专为光子计数应用而设计和优化。低噪声SPAD和低功耗IAQC使这些模块成为便携式设备和所有要求低功耗的应用的理想选择。具有光纤插座（PDF）的版本可耦合到所有单模和多模光纤，较高可达105um。