陶瓷基板材料为氮化铝（AlN）。标准等级为170W/m·K，也可提供200W/m·K。典型的属性有：TC（W/m·K）~170热膨胀系数（ppm/°C）~4.6介电常数~8.8@1MHzAlN基板材料可用于烧制、研磨或抛光表面处理。标准基板厚度为0.63mm和1.0mm，具有烧制饰面。也可以制造非标准厚度材料。基材可从0.25mm厚到1.5mm厚进行研磨和抛光。

对于激光安装，可以在导体区域上选择性地施加真空沉积的AuSn薄层。标准合金比通常为76Au/24Sn，厚度通常约为4-5微米。在回流时，在下面的导体中和在激光器芯片的下侧上的Au与预沉积的焊料结合以形成近似于80Au/20Sn的共晶比的合金。所得到的合金很好地流动并润湿激光器和载体，从而产生极好的低空隙接头，使热阻和热点较小化。合金比例也可以根据具体应用进行调整。

氮化铝是一种综合性能优异的新型陶瓷材料。它具有优良的导热性和抗热震性，可靠的电绝缘性。由于是液相烧结，晶界无第二相，晶体结构非常致密，具有良好的抗等离子腐蚀性能。一系列优良特性如由于介电常数和介电损耗低，无毒且热膨胀系数匹配硅被认为是新一代高集成半导体的理想材料基板和电子器件的封装，并得到广泛应用，受到国内外的重视。

电子产品公司（EPI）是各种光学和光纤电子封装的资源。我们的内部玻璃-金属和陶瓷能力和设计专业知识使您可以自由选择几种标准光学封装设计中的任何一种，或者选择让我们为您的定制光学设备应用设计独特的封装。我们为VCSEL、LED和各种传感元件制造一些较小基底面、密封、基于陶瓷的药丸封装，我们还设计和制造大型、多层、高I/O。用于要求较高的焦平面阵列的基于氮化铝（AlN）的衬底。一个专业领域是基于陶瓷的光学转接头封装，它能够实现比标准玻璃-金属密封更复杂的电路图案。

Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管，工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2，有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA，反向电压为3 V.其暗电流为1 nA，光电流为115 nA，响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造，具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

curamik® CoolPower由多层纯铜精细结构组成，这些层构成了三维结构用于高性能电子设备散热。在curamik结合过程中，不同层在没有额外焊接或粘合层的情况下密封结合。curamik® CoolPower Plus冷却器是集成了陶瓷基板(氧化铝或氮化铝)的DBC冷却器，DBC基板层可以直接组装组件（板上芯片），同时从冷却电路中提供电气隔离。