• 3390 MCP/RAE传感器头 图像传感器
    美国
    分类:图像传感器
    有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

    3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

  • 雪崩式光电探测器MTAPD-06-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф230um)0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

  • 雪崩式光电探测器MTAPD-06-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф500um)2 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

  • 雪崩照片=检测器MTAPD-05-003 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD(LCC)类型,并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR(800nm)增强型500µm直径APD,可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。

  • IDS3102-InSb MWIR FPA IMAGER系统 科学和工业相机
    美国
    厂商:Talktronics Inc
    相机类型: Industrial, Security 阵列类型: InSb 光谱带: 7.5 - 10.5 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 256

    IDS3102红外焦平面成像系统由液氮灌注低温恒温器、后置电子组件和外部电源组成。该系统旨在为对评估传感器或开发IRFPA应用感兴趣的工程师和科学家提供开发工具。该系统还可用作专用安装的独立IRFPA摄像机系统,使用许多计算机上可用的P1394a(FireWire™)接口。对于光谱仪应用,该系统可以利用Talktronics DTSpec成像光谱仪系统软件和外部用户定义的光学器件来实现完整的光谱仪系统。电子模块包含数字定时控制器,其产生用于IRFPA的所有时钟信号和偏置电压,将像素数字化,并通过P1394a(FireWire™)数码相机接口将数字化的像素信息发送到计算机(PC或其他)。红外焦平面阵列是中波红外InSb焦平面阵列,具有320×256格式的30×30μm像素。传感器为凝视型器件,增益和积分时间可调。由于AR涂层,器件的灵敏度范围为1-5um。电子模块可通过P1394a摄像机设置软件控制面板中的软件进行控制,或者通过RS232C串行端口进行控制。像素校正通过两点校正方法提供,增益图通过RS232C串行端口下载,并存储在相机中,同时保持电源。相机设置软件提供模拟增益(通过FPA)、数字增益(通过像素处理器)、偏移、自动背景减除模式、积分时间和图像捕捉功能的全局控制。提供触发输出,用于同步外部硬件(TTL脉冲)。

  • IDS3102-MCT LWIR FPA成像系统 科学和工业相机
    美国
    厂商:Talktronics Inc
    相机类型: Industrial, Security 阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe) 光谱带: 7.5 - 10.5 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 240

    IDS3102红外焦平面成像系统由液氮灌注低温恒温器、后置电子组件和外部电源组成。该系统旨在为对评估传感器或开发IRFPA应用感兴趣的工程师和科学家提供开发工具。该系统还可用作专用安装的独立IRFPA摄像机系统,使用许多计算机上可用的P1394a(FireWire™)接口。对于光谱仪应用,该系统可以利用Talktronics DTSpec成像光谱仪系统软件和外部用户定义的光学器件来实现完整的光谱仪系统。电子模块包含数字定时控制器,该控制器产生用于IRFPA的所有时钟信号和偏置电压,将像素数字化,并通过P1394a(FireWire™)数字相机接口将数字化的像素信息发送到计算机(PC或其他)。红外焦平面阵列是一个长波红外碲镉汞(MCT)焦平面阵列,具有320×240格式的30×30微米像素,可扩展至384×288。该传感器是一种凝视型器件,具有可选增益、帧大小和积分时间。器件的灵敏度范围约为2 um至10 um。

  • IRFPA摄像机系统 科学和工业相机
    美国
    厂商:Talktronics Inc
    相机类型: Industrial 阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe), InSb 光谱带: 0.5 - 5 um 阵列冷却: Cooled

    短到中波(0.5-5微米)和中到长波(2-10微米)红外范围可以使用InSb和MCT焦平面阵列和IDS2100红外焦平面阵列相机系统覆盖。上面显示的摄像头是CCH-03。CCH-03是一个包含红外传感器的灌注LN2杜瓦瓶。杜瓦瓶在设计上是通用的,允许多种类型的传感器封装可以互换。CCHBE-03摄像头电子模块安装在杜瓦瓶的侧面,提供多达四个视频通道、24个双极时钟驱动器和多个偏置电压。这些系统允许将红外成像和光谱仪功能结合到一个仪器中。适用于以高达100 Hz(子帧模式)或30 Hz(全帧模式)的速率与外部激光系统同步。积分时间可能较短(6-25微秒)以将暗电流保持为较小值,从而允许捕获短IR脉冲(100飞秒至1皮秒)。目前的配置已经与雷神和罗克韦尔红外传感器组装。该系统很容易适用于其他“快照”集成模式设备以及更大/更小的阵列尺寸。可提供配有光谱仪和FTIR应用软件的完整成像系统。

  • QBD Pockels电池驱动板 电光学
    白俄罗斯
    分类:电光学
    厂商:OEM Tech

    QBD系列由多个普克尔盒驱动器电路板组成,这些电路板因输出电压范围(高达6.0kV双极)和工作方案而不同。QBD系列专门设计用于通过施加快速开关高电压来控制普克尔盒。模块需要+24VDC电源和脉冲发生器来设置工作频率。用户可以手动(通过板载配置微调电位器)或远程(向相应引脚施加直流电压)在工作范围内对输出电压电平进行编程。输出信号类型有两种可能的修改:上推,当基准电压电平等于零时下拉,当产生从基极偏置电压到地的脉冲时。所需的产品应在订购时选择,用户不能更改。QBD系列基于MOSFET技术,提供高重复率和快速脉冲前沿转换时间。QBD的恢复时间相对较长(脉冲后沿为5-10μs,而QBU<20ns)。

  • QBU Pockels电池驱动板 电光学
    白俄罗斯
    分类:电光学
    厂商:OEM Tech

    QBU系列专门设计用于通过施加快速开关高电压来控制普克尔盒。模块需要+24VDC电源和脉冲发生器来设置工作频率和脉冲宽度。用户可以手动(通过板载配置微调电位器)或远程(向相应引脚施加直流电压)在工作范围内对输出电压电平进行编程。通过外部低电压任意TTL信号触发,模块可以在以下情况下工作:上推(=常关方案),当基本电压电平等于零时下拉(=常开方案),当产生从基极偏置电压到地的脉冲时用户自定义方案,具有任意宽度和频率的脉冲。QBU系列基于MOSFET技术,可为两个脉冲边沿提供高重复率和快速转换时间(<15 ns)。

  • DET100A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

  • EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

    来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度,并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用,包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管(PMT)的固态替代品。

  • PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 红外光电导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µm

    PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器,具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口(wZnSeAR)的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测,建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉,并符合RoHS指令。

  • PC-3TE series 红外光电导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007

    PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化,需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。

  • PC series 光导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/W

    PC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能,应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加。

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