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偏振波长: 780, 840, 980, 1060, 1310或1550nm 光纤直径: 80或125µm 20dB快边缘: < 1270nm 3dB慢边缘: > 1370nm 消光比: < -30dBIXS-POL-1310-80是一款基于PZ光纤的偏振器，这是一个全光纤解决方案，提供优越的偏振消光比、低损耗以及在温度变化下的极佳稳定性。适用于量子光学和光纤光学传感器，具有高消光比和宽操作波长范围。
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截止波长: 720 ± 50 衰减量@780 nm: < 4 衰减: < 3 模场直径@780 nm: 4.7 ± 0.5 模场直径@850 nm: 5.1 ± 0.5IXF-SM系列单模光纤专为UV至NIR波长范围内的操作而设计。提供不同的包层直径、数值孔径和涂层材料，有多种单模光纤可供选择。IXF-SM-780-125-014是为780至1200 nm波长范围内低损耗操作而设计的单模光纤，适用于激光器和调制器尾纤。
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芯径: 5 ± 0.3/10 ± 0.6/10.5 ± 0.5 µm 包层直径: 125 ± 2/225 ± 5/126 ± 3 µm 包层非圆度: < 2/< 7.5 % 镀膜直径: 245 ± 10/355± 10/248 ± 5 µm 纯硅芯材料: Silica/UV grade silicaIXF-ESM系列是微结构光子晶体纤维，展现出无限单模行为，不会表现出高阶模式截止。这使它们非常适合在可见光和近红外波长范围内提供出色的宽带模式传输，包括标准和PM版本，可用于成像或光谱学应用。
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截止波长[nm]: < 350 衰减@375 nm (dB/km): < 60 衰减@400 nm (dB/km): < 50 模场直径@375 nm (µm): 3.0 ± 0.5 模场直径@400 nm (µm): 3.2 ± 0.5IXF-SM系列单模光纤专为UV至NIR波长范围内的操作设计。提供不同的包层直径、数值孔径和涂覆材料，有多种单模光纤可供选择。IXF-SM-375-125-010是一种耐光致变色的纯石英芯光纤，适用于UV激光传输和量子应用。
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阈值电流: 8 mA typ., 15 mA max. 工作电流: 70 mA max. 模拟带宽: 2.5 GHz typ. @ 30 mA 监视光电二极管电流: 50 uA min., 2 mA max. 监视光电二极管暗电流: 10 nA max.DFB-CWDM-TO是一款适用于CWDM模拟通信、CATV回程路径、实验室仪器和研发应用的CWDM TO Can DFB-LD模块。这款高稳定性的DFB激光器芯片成本效益高，可选择的波长范围为1290nm至1650nm，内置InGaAsP监视光电二极管、内置光隔离器、4针TO Can和平窗发射类型。
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阈值电流: 8mA典型值 工作电流: 100mA最大值 模拟带宽: 2.5GHz典型值 30mA 监视光电二极管电流: 50uA最小值, 2mA最大值 监视光电二极管暗电流: 10nA最大值DFB-CX是一款用于CWDM模拟通信、CATV返程路径、实验室仪器和研发应用的CWDM同轴DFB激光器。这款经济高效、高可靠性的DFB激光芯片具有1270nm至1610nm的可选择波长范围。DFB-CX还具有内置InGaAsP监视光电二极管、内置光隔离器和4针同轴封装，单模耦合，以及FC/APC连接器。
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中心波长范围: 1470-1480nm(typ.) 光输出功率: 6mW(min.) 8mW(typ.) 阈值电流: 20mA(max. @ CW) 工作电流: 150mA(typ. @ CW), 200mA(max.) 正向电压: 1.6V(typ.)Optilab的DFB-1470-DL单模双列直插DFB激光器是一个成本效益高的1470nm-1480nm波长范围激光源。该MQW DFB激光器具有8mW的输出光功率，高边模抑制比(SMSR)，低剩余啁啾，并内置热电制冷器、热敏电阻和后腔监测光电二极管用于外部光功率控制，适用于高达2GHz带宽的模拟链路和数字通信。
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中心波长范围: 1505-1512nm(typ.) 光输出功率: 5mW(min.) 阈值电流: 20mA(max.) @ CW 工作电流: 150mA(typ.) @ CW, 200mA(max.) 正向电压: 1.6V(typ.)Optilab的DFB-1505-DL双列直插DFB激光器是一个成本效益高的1505nm-1512nm波长范围的激光源。该MQW DFB激光器具有最小5mW的输出光功率、高边模抑制比(SMSR)、低剩余啁啾，并内置有热电制冷器、热敏电阻和后脸监视光电二极管用于外部光功率控制。
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中心波长: 1310, 1550, or specified 工作波长: λc ± 40 耦合比: 20/80, 30/70, 40/60, 50/50 最大插入损耗: 7.5/1.2, 5.6/1.8, 4.4/2.5, 3.4/3.4 最大偏振依赖损耗: 0.10单模宽带耦合器提供极低的插入损耗、低偏振依赖性和优良的环境稳定性。具有从50/50到1/99的准确耦合比，且在宽波长范围内具有良好的均匀性。这些组件广泛应用于各种光通信系统中进行功率分配和监测功能。
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中心波长: 488, 532, 635, 780, 830, 980, 1064, 1700, 2000 工作波长: λc ± 5, λc ± 10, λc ± 10, λc ± 20 最大偏振依赖损耗: 0.2, 0.2, 0.1, 0.2 最大额外损耗: 0.3, 0.3, 0.15, 0.3 每个连接器最大额外损耗: 1.5, 0.7, 0.5, 0.3适用于445至2100纳米波长范围的特殊波长耦合器，具有低额外损耗和高功率处理能力，适合多种应用场景。
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中心波长: 1550nm 工作波长: λc ± 10nm 配置: 1 × 4或2 × 4 最大插入损耗: 6.8dB 最小消光比: 18dB单模宽带耦合器提供非常低的插入损耗、低偏振依赖性和优良的环境稳定性。准确的耦合比从50/50到1/99，且在宽波长范围内具有良好的均匀性。这些组件在各种光通信系统中广泛应用于功率分配和监控功能。
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中心波长: 488, 532, 635, 780, 830, 980, 1064, 1310, 1480, 1550, 1700, 2000 工作波长: λc ± 5, λc ± 10, λc ± 10, λc ± 20, λc ± 20 典型额外损耗: 0.8, 0.5, 0.4, 0.2, 0.5 最大额外损耗: 1.2, 0.8, 0.6, 0.4, 0.8 最小消光比: 18, 18, 20, 20, 20该产品是一种极化保持的融合耦合器，适用于488 - 2100 nm波长范围，具有高稳定性和可靠性，适合多种光电应用。
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中心波长: 980或1060 nm 工作波长: λc ± 10 nm 耦合比: 20/80, 30/70, 40/60, 50/50 最大插入损耗: 7.7/1.3, 5.8/2.0, 4.5/2.7, 3.5/3.5 dB 最大偏振损耗: 0.10 dB单模耦合器提供非常低的插入损耗、低偏振依赖性和优良的环境稳定性。准确的耦合比从50/50到1/99可在宽波长范围内获得非常好的均匀性。这些组件广泛应用于各种光通信系统中的功率分配和监测功能。
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中心波长: 850, 1064, 1310 操作波长范围: ±100 耦合比: 2/98, 5/95, 10/90, 50/50, or specified 耦合比公差: 6, 5, 5 最大均匀性50/50比: 1, 0.5, 0.5单模宽带耦合器提供低插入损耗、低偏振依赖性和优良的环境稳定性。可在宽波长范围内提供从50/50到1/99的准确耦合比，并具有良好的均匀性。
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中心波长: 1550nm 工作波长: λc ± 15nm 耦合比: 25/25/25/25% 最大插入损耗: 7.0dB 最大偏振损耗: 0.2dB单模耦合器具有非常低的插入损耗、低的偏振依赖性和优良的环境稳定性。可提供从50/50到1/99的准确耦合比，在宽波长范围内具有良好的均匀性。这些组件广泛应用于各种光通信系统中的功率分配和监测功能。
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硬光圈直径: 2.6 mm/3.25 mm/4 mm/5.5 mm/7 mm 单次插入损耗@1064 nm: <1.5% 内在对比率@1064 nm: >1000:1 电压对比率@1064 nm: >1000:1 单次波前失真@1064 nm: <λ/6Chiron Pockels cell系列在高重复率和高平均功率应用方面树立了新的标杆。每个Chiron Pockels cell都采用Beta Barium Borate (BBO)材料，具有超过98%的UV到NIR波长范围的透过率，能够在高重复率下稳定运行。
产品选型就用光电查
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