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设备类型: Benchtop 测量显示: W, kW 功率范围: Up to 8 kW 电池类型: 1100 mAh rechargeable
Ophir Optronics的Ariel是一款短曝光高功率传感器,工作波长为440-550 nm、900-1100 nm和2.94&10.6µm.在脉冲模式下,它可以测量功率高达8千瓦的高功率工业激光,曝光时间为0.05-2.00秒。在连续模式下,该传感器可测量功率高达500 W的激光,辐射时间到20秒。它由单个脉冲组成,可携带高达2.4 KJ的能量,最高工作温度为60°C.在达到最高温度后,传感器需要在14 KJ之间的10分钟冷却时间。它具有USB-C接口,可通过智能手机和PC进行控制。Ariel是一款防尘、防溅的电源传感器,配有LCD闪烁显示屏,1100 mAh充电电池,电池续航时间为15小时。它按照对流冷却机制运行,并具有IP62防护等级,可承受10-80%的非冷凝相对湿度。该传感器采用尺寸为70 X 70 X 80 mm的封装,非常适合在增材制造腔室等狭小空间中使用,以及用于生产过程质量控制和研发应用。
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准确性: ±3% (Power) 校准不确定度: ±1.9% 设备类型: Benchtop 功率范围: 100 mW to 120 W 波长范围: 0.248 to 9.4 µm
Ophir Optronics的F80(120)A-CM-17是一款激光热传感器,光谱范围为0.248至9.4µm.它的孔径为Ø17.5 mm,可连续测量100 MW至80 W的连续/脉冲功率,并以7-35 kW/cm2的功率密度间歇测量120 W的连续/脉冲功率。在能量模式下,该热传感器可以处理50mJ至200J的能量,能量脉冲宽度为100ns至2ms,能量密度为0.7-45J/cm2。它有一个CM吸收器,响应时间为2秒。这种热传感器有一个可拆卸的扩散器组件,可调节高度和风扇冷却。它采用尺寸为64 X 64 X 93 mm的封装,配有1.5 m电缆,是材料加工应用的理想选择。
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设备类型: Benchtop 测量显示: mW, W, uJ, J 功率范围: 0.1 to 0.15 W 波长范围: 250 to 2200 nm RoHS: Yes
Ophir Optronics的L50(150)A-LP2-35是一款用于高功率密度和长脉冲激光的热功率/能量激光测量传感器。它的孔径为35毫米,可连续测量100 MW至50 W,间歇测量高达150 W.该传感器可以测量从40mJ到3000J的能量,通过测量暴露于激光的0.4-4s的能量,能够测量高达4000W的高功率激光。高损伤阈值LP2吸收体覆盖0.25至2.2µm的光谱范围。传感器配有标准的1.5米电缆,用于连接仪表或PC接口。
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探测器类型: Si 设备类型: Benchtop 波长范围: 350 to 450 nm RoHS: Chine RoHS
Ophir Optronics的PD300RM-UVA是一款圆形几何结构光电二极管灌注和剂量传感器,工作波长为350至450 nm.它具有平坦的光谱响应,允许在光谱范围内测量窄带和宽带光源,如LED和激光器。传感器的平均功率密度为50 W/cm²,辐照度范围为1.5μW–15 W/cm²。它的剂量采样率为每秒500个样本,产生的脉冲能量高达20µJ.使用该传感器的LED测量不受光源带宽或加热引起的波长偏移的影响。它允许同时测量不同波长的光源。该传感器有一根1.5米长的电缆,用于连接Starbright&Starlite仪表或Juno+PC接口。
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应用: Outdoor point & line lasers, Military alignment/targeting, Medical Alignment, Industrial alignment, Sensing and positioning, Industrial Instrumentation 准直器类型: Laser Diode Collimator 波长范围: 520 nm
光电公司的500-052008是一种紧凑型激光二极管准直器,具有固定的准直/聚焦透镜。它由520nm直接绿光激光二极管、激光二极管支架、准直透镜支架和高数值孔径非球面准直透镜组成。该准直器的光束直径为3.5×1mm,光束发散度为1×0.6mrad.激光器的输出功率为30 MW,消耗的电流为140 mA.准直器的尺寸为9.6(长度)X 8(直径)mm,是军用校准/瞄准、医疗校准和工业仪器应用的理想选择。制造商提供两年保修。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, Silicon, GaP 波长范围: 190 to 2200 nm 上升时间: 20 to 100 ns 暗电流: 0.02 to 1 nA
来自激光器组件的p-Cube系列是光谱范围从190到2200nm的InGaAs/GaP/Si光电探测器。这些器件的光谱带宽为180 nm,响应度为0.16 A/W.P-Cube系列在紧凑的立方体内集成了一个极低噪声和灵敏的PIN光电二极管,可轻松集成到光具座设置中。这些探测器具有快速上升时间、响应均匀性、出色的灵敏度和长期可靠性,适用于各种应用,如气体分析、拉曼光谱、红外荧光、化学检测、光通信、光功率监控和激光二极管监控。光电探测器有一个可选的FC连接器,该连接器提供了一种使用光纤将探测器连接到样品的便捷方法。它采用小型封装,可轻松组装到光学装置中。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF
Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon
Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。
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波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W
Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。