• UV-013DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为150 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为0.5µs,有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-013EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为280 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-015是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-015的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035DQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为2µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为1100 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为3µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为7µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-20 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-20是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1000 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-20的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-35是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1600 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3µs.有关UV-35的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-35P 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-35P是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1600 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-50 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-50是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3.5µs.有关UV-50的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-50L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-50L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3.5µs.有关UV-50L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVA-S12SD 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/W

    Roithner Lasertechnik的GUVA-S12SD是一款光电二极管,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-S12SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVA-T11GD-L 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 10 nA 响应度/光敏度: 0.18 A/W

    Roithner Lasertechnik的GUVA-T11GD-L是一款光电二极管,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T11GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVA-T11GD 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.18 A/W

    Roithner Lasertechnik的GUVA-T11GD是一款光电二极管,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T11GD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVB-S11SD 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/W

    Roithner Lasertechnik的GUVB-S11SD是一款光电二极管,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVB-S11SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVC-T10GD 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.06 A/W

    Roithner Lasertechnik的GUVC-T10GD是一款光电二极管,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T10GD的更多详细信息,请联系我们。