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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-P的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。UPD-40-UVIR-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。有关UPD-40-UVIR-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV005是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.14 A/W，上升时间为0.9µs.有关FIL-UV005的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV50是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关FIL-UV50的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-020UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为1000 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-020UV的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-055UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-055UV的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-455UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-455UV的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-555UV/LN是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV/LN的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-555UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-001是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为60 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为0.2µs.有关UV-001的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-005是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为0.9µs.有关UV-005的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pF
OSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效面积直径为2.4 mm.有关UV-005DQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 65 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为65 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.2µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005DQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQC是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为150 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pFOSI Laser Diode，Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为280 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息，请联系我们。
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