• SXUV100TF135 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 18 to 80 nm RoHS: yes 电容: 220 to 350 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管,工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩,可以在-10到40摄氏度的温度下工作。

  • SXUV100TF135B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 12 to 18 nm RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm,在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有保护盖的陶瓷载体中使用。

  • SXUV5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode

    光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV(极紫外)圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力,在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度,使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中,该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C,在氮气或真空环境中,该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范,采用TO-5封装。

  • GUVA-C22SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVA-C22SD是一款光电二极管,波长范围为240至370 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-C22SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVA-T21GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVA-T21GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至370 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T21GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVB-C21SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管,工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2,有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA,反向电压为3 V.其暗电流为1 nA,光电流为115 nA,响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造,具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

  • GUVB-T11GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVB-T11GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVB-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVB-T21GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVC-S10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

  • GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • GUVC-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVC-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

  • GUVC-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-S10SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管,波长范围为240至395 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-S12SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管,波长范围为345至450 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-T12GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管,波长范围为330至445 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-S11SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管,波长范围为295至490 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息,请联系我们。