Opto Diode Corporation的SXUV20HS1是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为0.002µs，暗电流为100 nA，电容为200至800 PF，有效面积直径为5.01 mm.有关SXUV20HS1的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的SXUV300C是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为15 nsec，电容为40 NF.有关SXUV300C的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的SXUV5是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为2µsec，电容为1 NF，有效面积直径为2.5 mm.SXUV5的更多细节可以在下面看到。

Opto Diode Corporation的SXUVPS4是波长范围为1至400 nm、暗电流为1至100 nA、电容为500 NF、响应度/光敏度为0.02 A/W、有效面积直径为2.5 mm的光学检测器。SXUVPS4的更多细节可以在下面看到。

Opto Diode Corporation的SXUVPS4C是波长范围为1至400 nm，暗电流为1至100 nA，电容为0.5 NF，响应度/光敏度为0.02 A/W，有效面积直径为2.5 mm的光学探测器。有关SXUVPS4C的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的UVG100是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为10µs，电容为10至20 NF，响应度/光敏度为0.08至0.13 A/W.有关UVG100的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的UVG12是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为4µsec，电容为3至7 NF，响应度/光敏度为0.10 5至0.125 A/W，有效面积直径为4.1 mm.有关UVG12的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的UVG20C是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为0.8至3.3µsec，暗电流为30 nA，电容为4至10 NF，有效面积直径为4.9 mm.有关UVG20C的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的UVG20S是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为4µsec，电容为2.5至4 NF，响应度/光敏度为0.105至0.125 A/W，有效面积直径为5.5 mm.有关UVG20S的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的UVG5是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为1至2µsec，暗电流为1 nA，电容为2 NF，响应度/光敏度为0.09至0.115 A/W.有关UVG5的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的UVG5S是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为1至2µsec，暗电流为1 nA，电容为2 NF，响应度/光敏度为0.09至0.115 A/W.有关UVG5S的更多详细信息，请联系我们。

MKS|Ophir的FPD-UV-3000是一款光学探测器，波长范围为193至1100 nm，上升时间为3 ns，暗电流为10 nA，带宽为118 MHz，响应度/光敏度为0.58 A/W.FPD-UV-3000的更多详情见下文。

Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器，覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器，孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC（温度通量补偿）组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源，采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。

Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管（APD），可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构，在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装，针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm，响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm，响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管，有效面积为5.5 mm直径，对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm，电容低于10 N，反向击穿电压为10 V，上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF，反向击穿电压为160V，上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

来自Opto Diode Corporation的AXUV63HS1-CH是波长范围为0.01至190 nm、电容为10 NF、暗电流为100 nA、上升时间为2 nsec、有源区直径为9 mm的光电二极管。有关AXUV63HS1-CH的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF，反向击穿电压为160V，上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。