晶格材料在硅和锗的定制直拉（CZ）晶体生长中具有卓越的能力。坐落在我们的波兹曼，MT工厂，我们有才华的晶体生长技术人员可以成长到苛刻的规格。无论是难以找到的尺寸、独特的方向，还是您需要定制的电阻率或光学传输，我们都可以为您的项目种植材料。定制硅和锗晶体生长是晶格材料提供的较独特和较重要的服务之一。我们可以控制别人很少能控制的事情，包括：电阻率红外光传输单晶取向通过退火消除内应力晶格材料可以生长14″以上的多晶硅和12.5″以上的单晶硅。我们通常还采购更大直径的锗和硅锭，超过18.5英寸。与我们合作，解决您较具挑战性的材料要求。

光纤输出型，可轻松安装在检测设备中。安装时间减少到30分钟或更少。安装了一个小而高效的隔离器。检查系统可以通过遮挡来自目标样本的反射光来获取高精度的图像。

DRB系列阻尼隔振光学工作台具有高刚性、高稳定性和良好的隔振性能，这得益于B型两个弹性体阻尼器和刚性支撑。支架采用带脚轮的框架形式，使光学台易于运输。不锈钢台面尺寸多样，M6螺纹孔矩阵，便于安装光柱、光杆。该系列光学台适用于正常经验应用。

DRP系列阻尼隔振光学工作台具有高刚性、高稳定性和出色的隔振性能，这要归功于P型两个弹性体阻尼器和刚性支撑。支架采用带脚轮的框架形式，使光学台易于运输。不锈钢台面尺寸多样，M6螺纹孔矩阵，便于安装光柱、光杆。该系列光学台适用于光学体验应用。

100GHz密集波分复用器（DWDM）采用薄膜涂层技术和专利设计的无助熔剂金属键合微光学封装，以实现ITU波长的光分插。它提供了ITU信道中心波长、低插入损耗、高信道隔离度、宽通带、低温度灵敏度和环氧树脂自由光路。它可用于电信网络系统中的波长分插。

HJYS 100GHz密集波分复用器（DWDM）采用薄膜涂层技术和专利设计的无助焊剂金属键合微光学封装，以实现ITU波长的光分插。它提供了ITU信道中心波长、低插入损耗、高信道隔离度、宽通带、低温度灵敏度和环氧树脂自由光路。它可用于电信网络系统中的波长分插。

稳频连续单频环形染料激光器，型号DYE-SF-077，是型号DYE-SF-07的进一步发展。它现在包括一个基于热稳定干涉仪的频率稳定系统和一个快速电子驱动器。Laser Dye-SF-077具有极窄的谱线宽度，小于100kHz/s。DYE-SF-077为商用激光器的谱线宽度设定了新标准。在该模型之前，商用染料激光器的较窄线宽为500kHz-1MHz。需要注意的是，在DYE-SF-077中实现了100kHz的线宽，而没有使用声光调制器，这通常会使设计变得复杂并引入额外的损耗。为了在较宽的频率范围内有效抑制激光染料SF-077的辐射频率波动，采用了一种特殊设计的超快压电陶瓷。DYE-SF-077激光腔具有水平取向，腔元件的光学支架连接到刚性基板上，该基板由下面带有三个殷钢棒的体积框架进一步稳定。激光器基座的隔振设计提供了腔元件位置的附加被动稳定性。

标准机架式EG1310TX Version 2系列1310nm光发射机专为当前和未来的HFC和光纤到户（FTTH）网络应用而设计。该调幅发射机具有45~1003MHz的宽带宽，可用于模拟和数字信号传输。EG1310TX系列发射机采用高性能DFB激光器和集成光隔离器。该激光器的光输出功率范围很宽（从3到15dBm），为系统设计人员提供了灵活的损耗预算

交叉极化波（XPW）的产生是一个非线性的三阶过程，在此过程中基波和产生的波具有相同的频率。然而，所产生的波与泵浦波偏振垂直偏振。在XPW产生过程中，相位匹配发生在大带宽上。这意味着基波和XPW具有相同的相速度和群速度。交叉偏振波（XPW）的产生过程是由晶体的三阶非线性和张量的各向异性驱动的。用于产生交叉偏振波（XPW）的典型光学材料是具有Z（[001]）或全息（[011]）晶体取向的氟化钡（BaF2）晶体。理论预测，当使用[011]切割的BaF2晶体时，较大XPW能量转换效率约为35%，伴随的脉冲缩短因子为√3，对应于纯三阶非线性过程。

交叉极化波（XPW）的产生是一个非线性的三阶过程，在此过程中基波和产生的波具有相同的频率。然而，所产生的波与泵浦波偏振垂直偏振。在XPW产生过程中，相位匹配发生在大带宽上。这意味着基波和XPW具有相同的相速度和群速度。交叉偏振波（XPW）的产生过程是由晶体的三阶非线性和张量的各向异性驱动的。用于产生交叉偏振波（XPW）的典型光学材料是具有Z（[001]）或全息（[011]）晶体取向的氟化钡（BaF2）晶体。理论预测，当使用[011]切割的BaF2晶体时，较大XPW能量转换效率约为35%，伴随的脉冲缩短因子为√3，对应于纯三阶非线性过程。

EOT的EURYS宽带旋转器将800 nm的偏振光平面正向旋转90°，将720 nm至950 nm的偏振光平面反向旋转0°，同时保持光的线性偏振。当放置在交叉偏振器之间时，宽带法拉第旋转器变成宽带光隔离器。EURYS宽带光学隔离器在正向方向上提供高透射率，并在反向方向上强烈衰减720nm至950nm之间的背反射光，从而保护Ti：Sapphire振荡器免受背反射的有害影响，并消除Ti：Sapphire激光器在较低增益波长下的优先激射。利用具有低折射率和短光学路径长度的光学器件使由于与超短激光脉冲相关联的光学器件中的色散引起的脉冲展宽较小化。

EOT的EURYS宽带旋转器将800 nm的偏振光平面正向旋转90°，将720 nm至950 nm的偏振光平面反向旋转0°，同时保持光的线性偏振。当放置在交叉偏振器之间时，宽带法拉第旋转器变成宽带光隔离器。EURYS宽带光学隔离器在正向方向上提供高透射率，并在反向方向上强烈衰减720nm至950nm之间的背反射光，从而保护Ti：Sapphire振荡器免受背反射的有害影响，并消除Ti：Sapphire激光器在较低增益波长下的优先激射。利用具有低折射率和短光学路径长度的光学器件使由于与超短激光脉冲相关联的光学器件中的色散引起的脉冲展宽较小化。

带密封14针蝶形外壳（符合RoHS规范）的可调谐760 nm DFB激光器，包括监控二极管、带PM光纤的热电冷却器和热敏电阻、集成μ隔离器和成角物理触点（APC）。

CSrayzer的高功率自由空间隔离器HIO系列产品（也称为法拉第隔离器）是一种只允许光沿一个方向通过的磁光器件。它可以隔离光源并阻挡其背面反射。

我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）以及外部前置放大器，与此不同的是，快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）取代JFET。这显著降低了电容，大大降低了串联噪声，并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器，但带有前置放大器，在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进；更多的计数提供更好的统计数据。

FASTX3图像采集卡系列适用于预期在经济高效的平台中需要极端I/O要求和/或更高带宽、复杂图像处理和实时高速存储的用户。基本款FastX3是一款半长的原始外形尺寸PCIe（x4）Gen2板，具有六个基本的85 MHz Camera Link通道，较多可扩展为两个完整的Camera Link摄像头接口。在发送到PCIe（x4）Gen 2接口之前，Artix FPGA对前端数据进行格式化和预处理。它也是POCL，具有包括三个LVDS I/O的隔离输入。

硫系As2S3和As2Se3玻璃光纤具有较宽的传输范围（1.5μm~6.5μm和1.5μm~10μm）和较低的传输损耗，具有较高的非线性系数、较小的负折射率温度变化（DN/DT）、良好的功率容量和化学稳定性，可用于制作SMA、FC/PC和FC/APC等传输电缆。然而，由于硫系玻璃的高折射率（As2S3约为2.4，As2Se3约为2.7），光纤在输入和输出面会发生较大的菲涅尔反射（17%和21%）。对于采用SMA或FC/PC终端的电缆，输入端的这种反射可能会对激光器或其他光学元件造成不良影响。对于需要消除这种反射的应用，必须使用隔离器。在输入面采用8°角的FC/APC终端并不能缓解背向反射问题。然而，由于这些反射造成的功率损耗，上述终端仍将经历较低的传输功率。Irflex的FC/B®终端允许输入光束在输入面几乎完全传输，这意味着除了消除不需要的背向反射外，更多的功率被耦合到光纤中。我们的FC/B®连接器利用透射材料的布儒斯特角特性，在输入面实现了几乎完全的透射和无反射。以布儒斯特角入射到材料上的光对于其电场平行于入射平面的光将不会经历反射；这被称为TM或P极化。具有TE或S偏振的光仍将经历反射；因此，该角度也被称为偏振角。

EP1550-DM-B激光二极管模块成本高昂有效的高相干激光源。专利的离散模式（类DFB）脊形波导技术外延结构设计用于提供基于InP的应变量子阱激光二极管源波长为1.55µm，SMSR高。离散的模式激光二极管芯片工业封装标准密封14针蝶形封装带集成光隔离器、热电冷却器（TEC）、监控光电二极管和热敏电阻。

EP2004-DM-B激光二极管模块是一种经济高效的高相干激光源。专利分立模式（类DFB）脊形波导技术和外延结构设计用于提供InP基应变量子阱激光二极管源，其发射波长为2.004µm，具有高SMSR。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装，集成了光隔离器、热电冷却器（TEC）、监控光电二极管和热敏电阻。

EP2108-DM-B激光二极管模块是一款经济高效的高相干激光源。专利分立模式（类DFB）脊形波导技术和外延结构设计用于提供InP基应变量子阱激光二极管源，其发射波长为2.108µm，具有高SMSR。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装，集成了光隔离器、热电冷却器（TEC）、监控光电二极管和热敏电阻。