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传感器类型: CMOS 决议: 0.52MP # 像素 (H): 2048 # 像素: 256 全帧速率: 2500fps
达芬奇相机专门用于以较佳信噪比(SNR)的较大速度运行CMOS成像器。在较低光级下,SNR受读取噪声限制,而在较高光级下,SNR受光子噪声限制。通过使用具有高填充因子的大像素,DaVinci CMOS成像器被设计为对于感兴趣的波长具有较高可能的量子效率(QE),而无需使用小透镜或背减薄。这通过较大化从每个可用光子收集的电子的数量来产生优化的光子噪声限制的SNR。凭借极高响应度的输出放大器,达芬奇成像器还设计为具有尽可能低的读取噪声,以在读取噪声受限时较大限度地提高SNR,从而实现尽可能高的实际动态范围。
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传感器类型: CMOS 决议: 4.2MP # 像素 (H): 2048 # 像素: 2048 全帧速率: 200fps
达芬奇相机专门用于以较佳信噪比(SNR)的较大速度运行CMOS成像器。在较低光级下,SNR受读取噪声限制,而在较高光级下,SNR受光子噪声限制。通过使用具有高填充因子的大像素,DaVinci CMOS成像器被设计为对于感兴趣的波长具有较高可能的量子效率(QE),而无需使用小透镜或背减薄。这通过较大化从每个可用光子收集的电子的数量来产生优化的光子噪声限制的SNR。凭借极高响应度的输出放大器,达芬奇成像器还设计为具有尽可能低的读取噪声,以在读取噪声受限时较大限度地提高SNR,从而实现尽可能高的实际动态范围。
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传感器类型: CMOS 决议: 2.1MP # 像素 (H): 2048 # 像素: 1024 全帧速率: 640fps
达芬奇相机专门用于以较佳信噪比(SNR)的较大速度运行CMOS成像器。在较低光级下,SNR受读取噪声限制,而在较高光级下,SNR受光子噪声限制。通过使用具有高填充因子的大像素,DaVinci CMOS成像器被设计为对于感兴趣的波长具有较高可能的量子效率(QE),而无需使用小透镜或背减薄。这通过较大化从每个可用光子收集的电子的数量来产生优化的光子噪声限制的SNR。凭借极高响应度的输出放大器,达芬奇成像器还设计为具有尽可能低的读取噪声,以在读取噪声受限时较大限度地提高SNR,从而实现尽可能高的实际动态范围。
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涂层: Multi-layer 入射角: 45 degree 波长范围: 121.6 - 14000 nm
我们的V涂层提供了一些业内较有效的抗激光特性。它们被设计为在一个或多个离散线上提供低反射,或者作为宽带和离散波长的组合。在我们的标准生产中,我们有许多单波段、双波段和多波段AR涂层。虽然这种简单的V型涂层可能看起来并不特别令人兴奋,但它在光学界引起了很大的兴趣。我们是首批经过测试和认证能够承受大于10GW/cm2的激光功率的公司之一。一些政府机构,如NRL和LLNL,一次又一次地使用我们的服务,表明其他涂层实验室未能满足他们的要求。特别令人感兴趣的是我们在低温下在光纤和其他精密温度敏感设备上沉积这种高LIDT的能力。
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分类:电光调制器(EOM)孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 波长范围: 300 - 1100 nm 变速箱: 97% 消光比: >= 1000:1
DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关(Q-Switch,Pockels Cell)因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲(1Ons)激光系统中,DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体,其消光比为2000:1(使用632 nm He-Ne激光器测量),波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小(约3-5pF),因此上升时间短(0.5ns),调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光,与市场上广泛使用的电光晶体相比,具有更高的损伤阈值;在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下,损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真:低电容-上升时间短:~3pF-高透光率:98%-高损伤阈值:1GW/cm2-无静态双折射,无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能