• QS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed 波长: 905 nm 输出功率: 12 to 89 W 工作电压: 15 to 80 VDC 类型: Free Space Laser Diode

    来自Laser Components的QS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,提供高达80 W的输出功率。它具有2.5 ns的脉冲宽度和高达200 kHz的脉冲频率。这款超紧凑模块在小型密封封装内包含高电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。它采用TO-56封装(5引脚),非常适合激光雷达、激光扫描、军事、机器人和汽车应用。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • VD-0808I-004W-1C-2A0 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 4 W

    Laser Components的VD-0808I-004W-1C-2A0是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管的峰值输出功率高达4 W,效率高达39%。它的正向电压为2.2V,正向电流为4.5A.激光二极管的光束角为25°,发射面积为846×811μm.它采用氧化物隔离技术设计,采用3535封装。该激光二极管是3D传感器、激光雷达、红外照明、接近传感器和医疗应用的理想选择。

  • DBR816PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 工作模式: CW Laser 波长: 814 to 818 nm 输出功率: 35 to 45 mW 工作电压: 1.95 to 2.5 V

    Thorlabs的DBR816PN是一款分布式布拉格反射器(DBR)激光二极管,工作波长为816 nm.它集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和光电二极管。二极管提供高达45 MW的CW输出功率。它的正向电压为1.95 V,阈值电流高达54 mA.激光二极管采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器。它是水汽差分吸收激光雷达(DIAL)系统的理想选择,并可用作近红外光谱(NIRS)的低噪声泵浦源。

  • 1790型 半导体激光器
    美国
    应用行业: Defense and Security, Automation 波长: 1550 nm 输出功率: 0.05 to 0.06 W(17 to 18 dBm) 工作电压: 2.5 V 工作电流: 500 mA

    来自Emcore公司的1790型是在1550nm的波长下工作的激光二极管。它为自动驾驶和各种其他光学传感应用的频率调制连续波长(FMCW)传感提供了一种紧凑、稳健的解决方案。该激光器的光输出功率为18 dBm,光隔离度为50 dB.它需要500mA的工作电流,并且具有20mA的阈值电流。激光器与内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管直流耦合。该器件采用14引脚、OC-48引脚布局兼容的密封蝶形封装,并在TEC上安装了双光学隔离器,使其具有很高的抗干扰或光学跳频能力。激光二极管是激光雷达、光学传感、FMCW和自主车辆应用的理想选择。

  • 1064纳米RIO PLANEX 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1062 to 1066 nm 输出功率: 0.01 W 工作电流: 0.14 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Rio公司的Rio Planex是一种外腔激光器,工作波长为1064nm.该单频激光器可提供高达10 MW的输出功率,并具有低于50 dB的出色单模抑制比(SMSR)。该激光器具有极低的RIN(-135 dB/Hz)、低相位噪声和窄线宽(15 kHz)。Rio Planex采用14引脚蝶形封装,提供SMF和PM尾纤选择。它适用于光纤和固态激光器、二次谐波产生(SHG)、光学参量振荡器(OPO)、激光光谱学、激光雷达和其他精密计量应用。

  • PLANEX 1550纳米激光二极管 半导体激光器
    应用行业: Communications, Defense and Security, Oil & Gas 技术: External Cavity Lasers 工作模式: CW / Pulsed 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 30 mW

    来自Redfern Integrated Optics的Planex 1550 nm激光二极管是一种窄线宽外腔激光二极管,工作波长为1530至1565 nm.它提供30 MW的输出功率,并提供超过40 dB的光隔离。激光二极管具有小于1kHz的窄线宽,并且对振动和声学噪声不敏感。它由增益芯片和包含布拉格光栅的平面光波电路(PLC)组成。激光二极管是声学和地震传感、国防和安全、石油和天然气勘探和生产、激光雷达和遥感、干涉光纤传感、计量、射频和微波光子学以及相干通信应用的理想选择。

  • PLANEXTM 半导体激光器
    应用行业: Metrology, Infrastructure, Security, Wind, Oil & Gas 技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 20 mW

    Redfern Integrated Optics的Planex™是一款中心波长为1530至1565 nm的光纤耦合外腔激光器(ECL)。它提供高达20 MW的功率,并具有40 dB的光隔离。单频激光器支持CW、调制和脉冲操作,并且具有30pm的波长调谐范围和从DC到200kHz的调制带宽。该激光器具有低相位噪声和小于1kHz的窄线宽。它具有集成增益芯片和包括布拉格光栅的平面光波电路(PLC)。该激光器适用于遥感、分布式温度、应变或声学光纤监测、高分辨率光谱学、激光雷达和精密计量应用。

  • M9-940-0200-XXX 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.9 to 2.2 V

    Sheaumann Laser的M9-940-0200是一种激光二极管,工作波长为940 nm.连续输出功率为200mW,斜率效率为0.9W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要30 mA的阈值电流,并消耗260 mA的电流。该激光二极管具有带可选光电二极管和微透镜的AR涂层窗口。它采用9mm TO-CAN封装,是光学数据存储、激光雷达和飞行时间应用的理想选择。

  • SPL DP90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulse 波长: 898 to 912 nm 输出功率: 65 W 工作电流: 20 A 阈值电流: 300 mA

    来自OSRAM的SPL DP90_3是在898至912nm范围内工作的纳米堆叠脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为65瓦,脉冲宽度为100 ns,占空比为0.1%。该装置的平行和垂直光束发散度分别为10/25度。它具有3个垂直纳米堆叠的发射体,并且具有窄的发射宽度。该激光二极管以芯片形式提供,是闭路电视监控、激光雷达、预碰撞、ACC、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)和行人保护/车道偏离警告应用的理想选择。本产品的鉴定测试计划基于AEC-Q102《汽车应用分立光电半导体基于失效机理的应力测试鉴定》指南。

  • SPL DS90A_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    芯片技术: InGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 894 to 914 nm 输出功率: 105 to 145 W 工作电压: 8.3 V

    来自OSRAM的SPL DS90A_3是广泛用于各种汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管。它可以在高达40 A的高电流下工作,并实现125 W的典型输出功率。该激光器具有令人印象深刻的长寿命和高效率。其紧凑的尺寸允许在车辆内进行灵活的系统设计。得益于更高的输出,激光雷达系统可以可靠地探测到远距离的小物体和反射较差的物体,并在关键的驾驶情况下采取必要的行动。它是激光雷达、闭路电视监控和工业自动化应用的理想选择。

  • SPL LL90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 60 to 80 W 激光增益介质: InAIGaAs/GaAs 激光颜色: Infrared

    来自OSRAM的SPL LL90_3是在905nm的波长下操作的混合脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为70 W,脉冲宽度(FWHM)为40 ns.该激光二极管的光束发散角为15°(平行)和30°(垂直),上升时间为10ns,下降时间为45ns.它的孔径为200 X 10μm²,反向电流为10μA.该激光二极管具有应变InAlGaAs/GaAs QW结构并使用纳米堆叠激光技术。它具有3个外延堆叠的发射极和一个用于脉冲控制的集成驱动级、FET和电容器。它需要20 V直流电源,采用4.9 X 2.4 X 5 mm的小尺寸塑料封装。该激光二极管适用于电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、高棚工业、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC、安全和CCTV应用。

  • SPL TL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL TL90AT08是一款纳米堆叠脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为220μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.6 A,反向电压为3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、CCTV监控、电子设备、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC和测量调平应用。

  • SPL UL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL UL90AT08是一种脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管具有3个外延堆叠的发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流高达0.6 A,反向电压低于3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.这款激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,是3D传感、闭路电视监控、电子设备、激光雷达、预碰撞、ACC、测量水平和工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)应用。

  • C-RED 2 ER 科学和工业相机
    美国
    数据接口: LVDS, USB 3.1, Camera Link 相机类型: Hyperspectral Cameras, Microscopy Cameras 传感器类型: InGaAs 探测器类型: PIN Photodiode detector 快门类型: Electronic Shutter

    First Light Imaging的C-Red 2 ER是一款基于InGaAs的短波红外相机,工作范围为1.3至2.2µm.它具有超过70%的量子效率,并且可以在具有60个电子读出噪声的情况下以60fps运行。该相机集成了640 X 512 InGaAs PIN光电二极管探测器,像素间距为15µm,可实现高分辨率。它具有速度高达5µs的电子快门,并支持LVTTL/LVDS同步。该传感器可在32 X 4帧中以高达32066 FPS的帧速率捕捉图像,在320 X 256帧中以高达1779 FPS的帧速率捕捉图像。C-RED 2 ER采用交换优化外壳,尺寸为55 X 75 X 140 mm,带C-Mount光纤接口。该相机与µManager的SDK兼容,还支持LabVIEW和MATLAB软件。它非常适合用于自适应光学、超光谱成像、多光谱成像、激光通信、质量/生产控制、激光探测、Oct成像、光谱学、荧光显微镜、激光雷达和远程成像应用。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SAH1L16-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列,具有16个元件,采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm,可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

  • SAP500-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

  • LSP-SL-1570-10-01 半导体激光器
    中国大陆
    激光波长: 1.57um 激光平均能量: 6-10mJ 激光脉冲宽度: 3-5ns 频率范围: 20Hz-定制 光束发散角: 8-10mrad

    1.57μm全固态激光器采用OPO技术,对人眼损伤阈值高,适用于远距离测距,对多种目标的背景反差大,适合激光雷达和目标识别等应用。采用被动调Q技术,体积小,结构紧凑,适合军工激光测距、照射和雷达等领域。

  • 小型1.5μm/3kW脉冲光纤激光雷达光源 半导体激光器
    中国大陆
    型号: LSP-FLMP-1550-02 中心波长: 1547nm-1553nm 脉冲宽度(FWHM): 3ns可调 重复频率: 0.1MHz-2MHz可调 平均功率: 0.95W-2W@3ns,500kHz,25℃

    这是一款针对中远距离测距系统设计的脉冲光纤激光雷达光源,具有高峰值功率、低ASE成分和优异光束质量的特点。产品体积小、重量轻,便于集成到各种小型光电系统中,且能够在复杂严苛的环境下使用。