• ADL-85Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 310 to 360 mA

    Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管,可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电,功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度,垂直发散角为12~22度,微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装,非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

  • QS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed 波长: 905 nm 输出功率: 12 to 89 W 工作电压: 15 to 80 VDC 类型: Free Space Laser Diode

    来自Laser Components的QS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,提供高达80 W的输出功率。它具有2.5 ns的脉冲宽度和高达200 kHz的脉冲频率。这款超紧凑模块在小型密封封装内包含高电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。它采用TO-56封装(5引脚),非常适合激光雷达、激光扫描、军事、机器人和汽车应用。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • VD-0808I-004W-1C-2A0 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 4 W

    Laser Components的VD-0808I-004W-1C-2A0是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管的峰值输出功率高达4 W,效率高达39%。它的正向电压为2.2V,正向电流为4.5A.激光二极管的光束角为25°,发射面积为846×811μm.它采用氧化物隔离技术设计,采用3535封装。该激光二极管是3D传感器、激光雷达、红外照明、接近传感器和医疗应用的理想选择。

  • DBR816PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 工作模式: CW Laser 波长: 814 to 818 nm 输出功率: 35 to 45 mW 工作电压: 1.95 to 2.5 V

    Thorlabs的DBR816PN是一款分布式布拉格反射器(DBR)激光二极管,工作波长为816 nm.它集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和光电二极管。二极管提供高达45 MW的CW输出功率。它的正向电压为1.95 V,阈值电流高达54 mA.激光二极管采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器。它是水汽差分吸收激光雷达(DIAL)系统的理想选择,并可用作近红外光谱(NIRS)的低噪声泵浦源。

  • 1790型 半导体激光器
    美国
    应用行业: Defense and Security, Automation 波长: 1550 nm 输出功率: 0.05 to 0.06 W(17 to 18 dBm) 工作电压: 2.5 V 工作电流: 500 mA

    来自Emcore公司的1790型是在1550nm的波长下工作的激光二极管。它为自动驾驶和各种其他光学传感应用的频率调制连续波长(FMCW)传感提供了一种紧凑、稳健的解决方案。该激光器的光输出功率为18 dBm,光隔离度为50 dB.它需要500mA的工作电流,并且具有20mA的阈值电流。激光器与内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管直流耦合。该器件采用14引脚、OC-48引脚布局兼容的密封蝶形封装,并在TEC上安装了双光学隔离器,使其具有很高的抗干扰或光学跳频能力。激光二极管是激光雷达、光学传感、FMCW和自主车辆应用的理想选择。

  • 1064纳米RIO PLANEX 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1062 to 1066 nm 输出功率: 0.01 W 工作电流: 0.14 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Rio公司的Rio Planex是一种外腔激光器,工作波长为1064nm.该单频激光器可提供高达10 MW的输出功率,并具有低于50 dB的出色单模抑制比(SMSR)。该激光器具有极低的RIN(-135 dB/Hz)、低相位噪声和窄线宽(15 kHz)。Rio Planex采用14引脚蝶形封装,提供SMF和PM尾纤选择。它适用于光纤和固态激光器、二次谐波产生(SHG)、光学参量振荡器(OPO)、激光光谱学、激光雷达和其他精密计量应用。

  • PLANEX 1550纳米激光二极管 半导体激光器
    应用行业: Communications, Defense and Security, Oil & Gas 技术: External Cavity Lasers 工作模式: CW / Pulsed 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 30 mW

    来自Redfern Integrated Optics的Planex 1550 nm激光二极管是一种窄线宽外腔激光二极管,工作波长为1530至1565 nm.它提供30 MW的输出功率,并提供超过40 dB的光隔离。激光二极管具有小于1kHz的窄线宽,并且对振动和声学噪声不敏感。它由增益芯片和包含布拉格光栅的平面光波电路(PLC)组成。激光二极管是声学和地震传感、国防和安全、石油和天然气勘探和生产、激光雷达和遥感、干涉光纤传感、计量、射频和微波光子学以及相干通信应用的理想选择。

  • PLANEXTM 半导体激光器
    应用行业: Metrology, Infrastructure, Security, Wind, Oil & Gas 技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 20 mW

    Redfern Integrated Optics的Planex™是一款中心波长为1530至1565 nm的光纤耦合外腔激光器(ECL)。它提供高达20 MW的功率,并具有40 dB的光隔离。单频激光器支持CW、调制和脉冲操作,并且具有30pm的波长调谐范围和从DC到200kHz的调制带宽。该激光器具有低相位噪声和小于1kHz的窄线宽。它具有集成增益芯片和包括布拉格光栅的平面光波电路(PLC)。该激光器适用于遥感、分布式温度、应变或声学光纤监测、高分辨率光谱学、激光雷达和精密计量应用。

  • M9-940-0200-XXX 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.9 to 2.2 V

    Sheaumann Laser的M9-940-0200是一种激光二极管,工作波长为940 nm.连续输出功率为200mW,斜率效率为0.9W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要30 mA的阈值电流,并消耗260 mA的电流。该激光二极管具有带可选光电二极管和微透镜的AR涂层窗口。它采用9mm TO-CAN封装,是光学数据存储、激光雷达和飞行时间应用的理想选择。

  • SPL DP90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulse 波长: 898 to 912 nm 输出功率: 65 W 工作电流: 20 A 阈值电流: 300 mA

    来自OSRAM的SPL DP90_3是在898至912nm范围内工作的纳米堆叠脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为65瓦,脉冲宽度为100 ns,占空比为0.1%。该装置的平行和垂直光束发散度分别为10/25度。它具有3个垂直纳米堆叠的发射体,并且具有窄的发射宽度。该激光二极管以芯片形式提供,是闭路电视监控、激光雷达、预碰撞、ACC、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)和行人保护/车道偏离警告应用的理想选择。本产品的鉴定测试计划基于AEC-Q102《汽车应用分立光电半导体基于失效机理的应力测试鉴定》指南。

  • SPL LL90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 60 to 80 W 激光增益介质: InAIGaAs/GaAs 激光颜色: Infrared

    来自OSRAM的SPL LL90_3是在905nm的波长下操作的混合脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为70 W,脉冲宽度(FWHM)为40 ns.该激光二极管的光束发散角为15°(平行)和30°(垂直),上升时间为10ns,下降时间为45ns.它的孔径为200 X 10μm²,反向电流为10μA.该激光二极管具有应变InAlGaAs/GaAs QW结构并使用纳米堆叠激光技术。它具有3个外延堆叠的发射极和一个用于脉冲控制的集成驱动级、FET和电容器。它需要20 V直流电源,采用4.9 X 2.4 X 5 mm的小尺寸塑料封装。该激光二极管适用于电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、高棚工业、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC、安全和CCTV应用。

  • SPL TL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL TL90AT08是一款纳米堆叠脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为220μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.6 A,反向电压为3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、CCTV监控、电子设备、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC和测量调平应用。

  • SPL UL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL UL90AT08是一种脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管具有3个外延堆叠的发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流高达0.6 A,反向电压低于3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.这款激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,是3D传感、闭路电视监控、电子设备、激光雷达、预碰撞、ACC、测量水平和工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)应用。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SAH1L16-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列,具有16个元件,采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm,可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

  • SAP500-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

  • LSP-SL-1570-10-01 半导体激光器
    中国大陆
    激光波长: 1.57um 激光平均能量: 6-10mJ 激光脉冲宽度: 3-5ns 频率范围: 20Hz-定制 光束发散角: 8-10mrad

    1.57μm全固态激光器采用OPO技术,对人眼损伤阈值高,适用于远距离测距,对多种目标的背景反差大,适合激光雷达和目标识别等应用。采用被动调Q技术,体积小,结构紧凑,适合军工激光测距、照射和雷达等领域。

  • 小型1.5μm/3kW脉冲光纤激光雷达光源 半导体激光器
    中国大陆
    型号: LSP-FLMP-1550-02 中心波长: 1547nm-1553nm 脉冲宽度(FWHM): 3ns可调 重复频率: 0.1MHz-2MHz可调 平均功率: 0.95W-2W@3ns,500kHz,25℃

    这是一款针对中远距离测距系统设计的脉冲光纤激光雷达光源,具有高峰值功率、低ASE成分和优异光束质量的特点。产品体积小、重量轻,便于集成到各种小型光电系统中,且能够在复杂严苛的环境下使用。

  • 1.5μm高峰值功率脉冲光源 半导体激光器
    中国大陆
    偏振: 随机 中心波长: 1547nm-1553nm 脉冲宽度(FWHM): 3ns-5ns 重复频率: 30kHz-100kHz 平均功率: 3W-4W

    适合作为超远距离激光雷达激光光源或单光子探测发射源使用,能够发射高达15kW峰值功率的窄脉冲激光,同时保持良好的光束质量。独特的散热设计可以使其在高峰值功率输出的同时保持优良的可靠性。