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传感器类型: Microbolometer 可衡量的来源: CW, Pulsed 波长范围: 2000 - 16000 nm # 像素(宽度): 640 # 像素(高度): 480
WinCAMD-IR-BB激光光束轮廓仪是一种用于中波红外和远红外范围激光的成像解决方案。WinCAMD-IR-BB光束轮廓仪具有17µm像素、2-16µm波长范围和集成快门,可提供无与伦比的光束轮廓能力。WinCAMD-IR-BB的信噪比超过1000:1,可进行符合ISO11146标准的光束测量。基于微测辐射热计的相机具有非常高的灵敏度,集成的快门允许全自动非均匀性校正。WinCAMD-IR-BB激光束剖面仪由Dataray的全功能、高度可定制、以用户为中心的软件提供支持,该软件无许可费、无限制安装和免费软件更新。该软件支持使用我们的M2DU阶段进行M^2测量。对于更高功率的激光器,Dataray提供了一系列采样、吸收和反射衰减器,用于超过相机较大功率的光束。功率限制。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/W
PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器,基于精密的HgCdTe异质结构,以获得最佳性能和稳定性,并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下(约0.9µm)的最佳波长λopt下进行了优化。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W
PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性,采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化,起始波长受GaAs透射率(约0.9μm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/W
PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止了不必要的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107
PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器,为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化,适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率(约0.9微米)的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。