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波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H250G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为1750MHz的光电二极管。有关FCI-H250G-InGaAs-75的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H622M-InGaAs-75是波长范围为1100至1650 nm、带宽为520 MHz的光电二极管。FCI-H622M-InGaAs-75的更多详情见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-12M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-16M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1的更多详情见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。
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波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.16 to 0.20 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm，带宽为9 GHz，电容为0.16至0.20 PF，暗电流为0.5至2 nA，响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-4M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1750 nm 光电二极管材料: GaP, InGaAs 电容: 11 pF 暗电流: 15 to 40 pARoithner Lasertechnik的EPD-1300-5-0.3是一款光电二极管，波长范围为800至1750 nm，带宽为780 nm，电容为11 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.EPD-1300-5-0.3的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Gallium RoHS: Yes 电容: 250 pF
Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，带宽为85 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-470-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.18 A/W.EPD-470-0-1.4的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaN 暗电流: 20 to 50 pA 响应度/光敏度: 0.12 A/W
来自Roithner Lasertechnik的EPD-470-5-0.5是一款光电二极管，带宽为75 nm，暗电流为20至50 pA，响应度/光敏度为0.12 A/W.有关EPD-470-5-0.5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 180 pF 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，电容为180 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 350 pF 暗电流: 50 to 300 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-2.5是一款光电二极管，带宽为60 nm，电容为350 PF，暗电流为50至300 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-2.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 50 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.42 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-660-5/0.5是一款光电二极管，带宽为170 nm，电容为50 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.42 A/W.EPD-660-5/0.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, GaAs 响应度/光敏度: 0.5 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-740-0/2.5是一款光电二极管，带宽为115 nm，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.5 A/W.EPD-740-0/2.5的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 40 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.5 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-740-5/0.4是一款光电二极管，带宽为115 nm，电容为40 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间为15 ns.有关EPD-740-5/0.4的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 590 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为890 nm，带宽为680 nm，电容为590 PF，暗电流为1至2.5 nA，响应度/光敏度为0.3至0.55 A/W.EPD-880-0-1.4的更多详情见下文。