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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 暗电流: 1000 to 3000 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-15-YAG是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为1000至3000nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为36ns的光电二极管。SPOT-15-YAG的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 11 pF 暗电流: 0.15 to 2 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-2D是波长范围为970nm、电容为11pF、暗电流为0.15至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。SPOT-2D的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.05 to 1 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-2DMI是波长范围为970nm、电容为3pF、暗电流为0.05至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为11ns的光电二极管。有关SPOT-2DMI的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 pF 暗电流: 0.13 to 2 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-3D是波长范围为970nm、电容为7pF、暗电流为0.13至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为25ns的光电二极管。SPOT-3D的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 0.10 to 1 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-4D是波长范围为970nm、电容为5pF、暗电流为0.10至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。有关SPOT-4D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 1 to 5 pF 暗电流: 35 to 250 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-9-YAG是波长范围为1000nm、电容为1至5pF、暗电流为35至250nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为18ns的光电二极管。SPOT-9-YAG的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA来自 OSI Optoelectronics 的SPOT-9D是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为33ns的光电二极管。有关SPOT-9D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-9DMI是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为28ns的光电二极管。有关SPOT-9DMI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 250 to 1000 pA 响应度/光敏度: 0.9 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-1300-0-0.5是一款光电二极管，电容为45 PF，暗电流为250至1000 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-0.5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 1000 to 1300 pF 暗电流: 5 to 30 pA
Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-3.0是一款光电二极管，电容为1000至1300 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-3.0的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1750 nm 光电二极管材料: GaP, InGaAs 电容: 11 pF 暗电流: 15 to 40 pARoithner Lasertechnik的EPD-1300-5-0.3是一款光电二极管，波长范围为800至1750 nm，带宽为780 nm，电容为11 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.EPD-1300-5-0.3的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Gallium RoHS: Yes 电容: 250 pF
Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，带宽为85 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-470-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.18 A/W.EPD-470-0-1.4的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaN 暗电流: 20 to 50 pA 响应度/光敏度: 0.12 A/W
来自Roithner Lasertechnik的EPD-470-5-0.5是一款光电二极管，带宽为75 nm，暗电流为20至50 pA，响应度/光敏度为0.12 A/W.有关EPD-470-5-0.5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 180 pF 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，电容为180 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 350 pF 暗电流: 50 to 300 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-2.5是一款光电二极管，带宽为60 nm，电容为350 PF，暗电流为50至300 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-2.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 50 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.42 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-660-5/0.5是一款光电二极管，带宽为170 nm，电容为50 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.42 A/W.EPD-660-5/0.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, GaAs 响应度/光敏度: 0.5 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-740-0/2.5是一款光电二极管，带宽为115 nm，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.5 A/W.EPD-740-0/2.5的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 40 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.5 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-740-5/0.4是一款光电二极管，带宽为115 nm，电容为40 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间为15 ns.有关EPD-740-5/0.4的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 590 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为890 nm，带宽为680 nm，电容为590 PF，暗电流为1至2.5 nA，响应度/光敏度为0.3至0.55 A/W.EPD-880-0-1.4的更多详情见下文。
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