• C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

    Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构,提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中,正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米,C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中,可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

  • C30817EH series(系列)硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees

    C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管,采用双扩散“穿透”结构制造,可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

  • C30884EH 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光敏表面有效面积: 0.5mm² 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

    C30884EH是一种硅雪崩光电二极管,具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造,优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

  • C30626FH系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 暗电流: 250nA

    C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器,具有高响应度和低暗电流,适用于高精度光电检测。

  • C30703FH系列硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 暗电流: 250nA

    C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器,适用于高精度光学测量。

  • C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain

    C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD,专为各种宽带低光级应用而设计,涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

  • C30950EH 硅雪崩光电二极管前置放大器模块 科学和工业相机
    系统带宽: DC-50MHz/100MHz/200MHz 噪声等效功率: 0.029pW/√Hz@900nm(50MHz)/0.057pW/√Hz@830nm(100MHz)/0.120pW/√Hz@830nm(200MHz) 光谱响应范围: 400-1000nm 功率: 60mW(typ.) 放大器工作电压范围: 广泛

    C30950EH是一款硅雪崩光电二极管前置放大器模块,采用单一改良的12引脚TO-8封装。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器,封装在同一密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • C30659 Series(系列)带混合前置放大器的硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管(APD)与混合前置放大器,在同一个密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • C30737CH Series 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 工作电压: 100-150Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nm

    C30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装,适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。

  • C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 工作电压: 95-155Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°C

    Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管,封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中,适用于高体积激光测距和测距应用。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

    Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs)适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用,提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

  • SPCM-AQRH-TR 时间相关单光子计数和荧光寿命测量优化的单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    活动区域直径: 170-180µm 光子探测效率: 75% 光子探测效率: 50% 暗计数: 1500Counts/second 暗计数: 1000Counts/second

    Excelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块,采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管,具有优于250ps的模块时间分辨率,同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率,活动区域直径为180µm。

  • SPCM-AQ4C 四通道阵列单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电流: 1.0-3.0A@+2V, 0.20-1.0A@+5V, 0.01-0.04A@+30V 最大功率消耗: 2-6W@+2V, 1-5W@+5V, 0.3-1.2W@+30V 供电电压: 1.95-2.05V@+2V, 4.75-5.25V@+5V, 29-31V@+30V 外壳工作温度: 5-40ºC 每通道活动区域直径: 170-180µm

    SPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块,具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK),能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能,确保在环境温度变化时性能稳定。

  • C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees

    Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应(即>900nm)得到增强,同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

  • C30733BQC-01 高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 工作增益: 10-40 正向电流: 5mA

    Excelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed InGaAs APD是一款高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管,专为光纤时域反射仪(OTDR)等电信测试设备应用而设计。

  • C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

    Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs,提供高量子效率和低噪声的高响应度。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。