Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

OSI Laser Diode，Inc.的PIN-125DPL是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为160 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为30 ns.有关引脚125DPL的更多详细信息，请联系我们。

来自Qphotonics的QSDM-1020-2是中心波长为1014nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达1.5 MW的输出功率，并具有宽度为30 nm（FWHM）的低波纹光谱。该SLD具有高达2.5 V的正向电压和小于300 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

来自Qphotonics的QSDM-1650-2是中心波长为1627nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达2 MW的输出功率，并具有35 nm（FWHM）的低波纹光谱宽度。该SLD具有高达30%的剩余光谱调制深度和10kOhm的热敏电阻。它的热敏电阻B常数为3900 K，监控电流高达2 mA.该SLD具有高达2 V的正向电压和小于330 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

Innolume的SLD-1080-30-YY-100是一款光纤耦合超辐射发光二极管，工作波长为1080 nm.它提供超过100mW的连续波输出功率，具有0.03dB的低ASE频谱纹波和-3dB时30nm的带宽。该超发光二极管具有0.15ns的上升时间和0.5ns的下降时间。它有一个内部TEC，需要4 V直流电源，功耗为3 A.SLD-1080-30-YY-100采用HI1060和PM980型光纤，数值孔径分别为0.14和0.12，模场直径分别为6.2±0.3µm和6.6±0.3µm，线偏振较强，偏振消光比为20 dB.它们的长度为1.0±0.1m，光纤弯曲半径大于3cm.这些光纤的涂层直径为245±15µm，包层直径为125±1µm.HI1060和PM980光纤的截止波长分别为920±50 nm和900±70 nm.SLD-1080-30-YY-100符合RoHS规范，使用窄键FC/APC连接器。它需要1.7 V的直流电源，功耗为800 mA.这款超发光二极管采用14引脚蝶形封装，尺寸为30 X 39 X 8.1 mm，非常适合光纤传感器、仪器仪表和光谱应用。

Macom的M02009是一款跨阻放大器，电源电流为30至45 mA，数据速率为0.6 Gbps，跨阻为36 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为340至460 MHz.有关M02009的更多详细信息，请联系我们。

Macom的M02011是一款跨阻放大器，电源电流为20至35 mA，数据速率为0.6 Gbps，跨阻为65 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为450至600 MHz.有关M02011的更多详细信息，请联系我们。

Macom的M02013是一款跨阻放大器，电源电流为31至58 mA，数据速率为3.1 Gbps，跨阻为10 kOhms，电源电压为3.3 V，带宽为2.4 GHz.有关M02013的更多详细信息，请联系我们。

Macom的M02014是一款跨阻放大器，电源电流为29至47 mA，数据速率为2.5 Gbps，跨阻为11 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为1400至2100 MHz.有关M02014的更多详细信息，请联系我们。

Macom的M02015是一款跨阻放大器，电源电流为240至40 mA，数据速率为2.5 Gbps，跨阻为9 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为1400至1800 MHz.有关M02015的更多详细信息，请联系我们。

Macom的M02016是一款跨阻放大器，电源电流为23至39 mA，数据速率为1.3 Gbps，跨阻为24 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为0.7至1 GHz.有关M02016的更多详细信息，请联系我们。

Macom的M02129是一款跨阻放大器，电源电流为37 mA，数据速率为10.3 Gbps，跨阻为2 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为7.8 GHz.有关M02129的更多详细信息，请联系我们。

Macom的M02139是一款跨阻放大器，电源电流为39至43 mA，数据速率为10.3 Gbps，跨阻为2.5 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为7.5 GHz.有关M02139的更多详细信息，请联系我们。

来自Macom的MC2007-3是一款跨阻放大器，电源电流为12至32 mA，数据速率为0.2 Gbps，跨阻为62 kΩ，电源电压为3.3 V，带宽为110至140 MHz.有关MC2007-3的更多详细信息，请联系我们。

来自AA Opto Electronics的MT200-IR10-FIO-10PLM-J1-A-IC2是一款声光调制器，调制带宽为48 MHz，上升时间为10 ns，光学波长为1030至1054 nm，RF功率为2.2 W.MT200-IR10-FIO-10PLM-J1-A-IC2的更多详情见下文。