• UPD-70-UVIR-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。

  • FP1015b 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.4 to 0.35 A/W

    Freedom Photonics的FP1015B是一款光学探测器,波长范围为1550 nm,带宽为30至35 GHz,响应度/光敏度为0.4至0.35 A/W.有关FP1015B的更多详细信息,请联系我们。

  • FP1015c 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/W

    Freedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器,波长范围为1550 nm,带宽为60至65 GHz,响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息,请联系我们。

  • FP1017a 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 850 nm 暗电流: 50 pA 响应度/光敏度: 0.3 to 0.25 A/W

    Freedom Photonics的FP1017A是一款光学探测器,波长范围为850 nm,暗电流为50 pA,带宽为2至3 GHz,响应度/光敏度为0.3至0.25 A/W,有效区域直径为20µm.有关FP1017A的更多详细信息,请联系我们。

  • C30619GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为0.5ns,带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为2-15 PF,暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm,有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30641GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30642GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为9ns,带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V,电容为36-400 PF,暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm,有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30645L-080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

  • C30662L-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

  • C30665GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为17ns,带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V,电容为77-530 PF,暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • EXACTD-332 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF

    Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角(AOA)信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列,并结合3位数字格雷码掩模,以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns,结面积为0.75 mm2,视场为±45°。它的电容为13.5 PF,击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装,非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

  • PIN-DSIn-TEC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管,波长范围为1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TOP)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-1300-0-0.5 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 250 to 1000 pA 响应度/光敏度: 0.9 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-0.5是一款光电二极管,电容为45 PF,暗电流为250至1000 pA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-0.5的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-1300-0-3.0 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 1000 to 1300 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-3.0是一款光电二极管,电容为1000至1300 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-3.0的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-1300-5-0.3 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1750 nm 光电二极管材料: GaP, InGaAs 电容: 11 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    Roithner Lasertechnik的EPD-1300-5-0.3是一款光电二极管,波长范围为800至1750 nm,带宽为780 nm,电容为11 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.9 A/W.EPD-1300-5-0.3的更多详情见下文。

  • EPD-365-0-1.4 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Gallium RoHS: Yes 电容: 250 pF

    Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,带宽为85 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。

  • EPD-470-0-1.4 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.18 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-470-0-1.4是一款光电二极管,带宽为80 nm,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.18 A/W.EPD-470-0-1.4的更多详细信息见下文。

  • EPD-470-5-0.5 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaN 暗电流: 20 to 50 pA 响应度/光敏度: 0.12 A/W

    来自Roithner Lasertechnik的EPD-470-5-0.5是一款光电二极管,带宽为75 nm,暗电流为20至50 pA,响应度/光敏度为0.12 A/W.有关EPD-470-5-0.5的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-525-0-1.4 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 180 pF 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-1.4是一款光电二极管,带宽为80 nm,电容为180 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-1.4的更多详情见下文。

  • EPD-525-0-2.5 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 350 pF 暗电流: 50 to 300 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-2.5是一款光电二极管,带宽为60 nm,电容为350 PF,暗电流为50至300 pA,响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-2.5的更多详情见下文。