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OSI Laser Diode,Inc.的PIN-44DI是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为130至700 PF,暗电流为1至15 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为24 ns.有关PIN-44DI的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-44DP是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为4300 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为475 ns.有关PIN-44DP的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-44DPI是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为4300 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为475 ns.有关PIN-44DPI的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-4x4D是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为75 PF,响应度/光敏度为0.35 A/W.有关PIN-4x4D的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5-YAG是波长范围为1000nm、电容为5pF、暗电流为40nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为10ns的光电二极管。下面可以看到PIN-5-YAG的更多详细信息。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-555AP-1是一款光电二极管,波长范围为550 nm,电容为1500 PF,响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W,上升时间为0.1µs.有关PIN-555AP-1的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的PIN 5D是波长范围为970 nm、电容为15至85 PF、暗电流为0.25至3 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关引脚5D的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5DI是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为15至85 PF,暗电流为0.25至3 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为12 ns.有关引脚5DI的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5DP/SB是一款光电二极管,波长范围410 nm,电容450 PF,响应度/光敏度0.15至0.20 A/W,上升时间0.2µs.有关引脚5DP/SB的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5DP是波长范围为970 nm、电容为500 PF、响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W、上升时间为60 ns的光电二极管。有关引脚5DP的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5DPI是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为500 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为60 ns.有关PIN-5DPI的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-6D是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为60至330 PF,暗电流为0.5至10 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为17 ns.有关引脚6D的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-6DI是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为60至330 PF,暗电流为0.5至10 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为17 ns.有关引脚6DI的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-6DP是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为2000 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为220 ns.有关引脚6DP的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-6DPI是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为2000 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为220 ns.有关Pin-6DPI的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管,波长范围为1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TOP)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm(Si-TOP)、1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TO-P)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4µs.有关PIN-DSIN的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSS是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm(Si-TOP)、950至1100 nm(Si),电容为70 PF,响应度/光敏度为0.45 A/W(Si-TOP)、0.12 A/W(Si),上升时间为10µs(Si-TO)、150µs(Si)。有关PIN-DSS的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR005是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间0.6 ns.有关引脚HR005的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR005L是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为0.8 PF,暗电流为0.03至0.8 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为O.6 ns.有关引脚HR005L的更多详细信息,请联系我们。