• SCW 1731F-D40R 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1646 to 1654 nm 输出功率: 0.04 to 0.04 W 工作电压: 1.5 V

    OSI Laser Diode的SCW 1731F-D40R是采用14引脚DIL封装的1650 nm脉冲DFB激光二极管模块。激光二极管光学耦合到SMF光纤尾纤,并包括热电冷却器和电隔离的温度传感热敏电阻。激光二极管模块专为需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用而设计。该器件符合RoHS规范。

  • LDS-1550-DFB-2.5G-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V

    Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

  • LDS-1570-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1567 to 1573 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    Laserscom的LDS-1570-DFB-2.5G-15/45是一款与光纤耦合的多量子阱激光二极管,工作波长为1570 nm,斜率效率为0.16 W/A.在SM光纤G.657.A1中,它在CW模式下的光输出功率高达15 MW,在脉冲模式下高达45 MW.该激光二极管需要大约1.4V的工作电压,并且具有大约8mA的阈值电流。它采用同轴电缆、带支架的同轴电缆或14针DIL,包括密封外壳中的监视器PD,是数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

  • waveScan USB 光谱仪
    应用: Chemical material characterization, Carrier lifetime and mobility in semiconductors, Dielectric properties and complex refractive index, Metamaterials investigation, Medical and biological nondestructive research, Thickness measurements 光谱仪类型: Modular 波长范围: 200 to 6300 nm 光谱分辨率: 0.2 to 0.13 nm 谱带: VIS, IR, VIS/IR, IR, Blue, Blue HR, UV, UV2

    A·P·E GmbH的WaveScan USB是一款中红外/红外/可见/紫外旋转光栅光谱仪,工作波长为200 nm-6.3µm.它的扫描速率为6Hz,光谱分辨率高达0.05nm.该设备提供高激光重复率,基于旋转光栅原理,由小型精密电机驱动,是传统光谱仪的绝佳替代品。直接通过USB或通过网络和TCP/IP的简单命令可以实现自动化。除了自由空间输入外,WaveScan还提供可互换的光纤输入。它采用362 X 91 X 143 mm坚固耐用的单元,非常适合化学材料表征、半导体中的载流子寿命和迁移率、介电特性和复折射率、超材料研究、医学和生物无损研究以及厚度测量应用。

  • C30619GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为0.5ns,带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为2-15 PF,暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm,有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30641GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30642GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为9ns,带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V,电容为36-400 PF,暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm,有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30665GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为17ns,带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V,电容为77-530 PF,暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • PIN-005D-254F 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 响应度/光敏度: 0.025 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-005D-254F是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为100 PF,响应度/光敏度为0.025 A/W,上升时间为0.1µs.有关PIN-005D-254F的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-005E-550F 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 响应度/光敏度: 0.23 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-005E-550F是一款光电二极管,波长范围为550 nm,电容为200 PF,响应度/光敏度为0.23 A/W,上升时间为0.1µs.有关PIN-005E-550F的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-020A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 to 4 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-020A是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为1至4 PF,暗电流为0.01至0.15 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为6 ns.有关PIN-020A的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-040A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2 to 8 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-040A是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为2至8 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为8 ns.有关PIN-040A的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-040DP/SB 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN 040DP/SB是一款光电二极管,波长范围为410 nm,电容为60 PF,响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W,上升时间为0.02µs.有关PIN-040DP/SB的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-100-YAG 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 25 pF

    来自OSI Laser Diode,Inc.的PIN-100-YAG是波长范围为1000nm、电容为25pF、暗电流为75至1000nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为30ns的光电二极管。下面可以看到PIN-100-YAG的更多详细信息。

  • PIN-10AP-1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 to 0.27 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-10AP-1是一款光电二极管,波长范围为550 nm,电容为1500 PF,响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W,上升时间为0.15µs.有关引脚10AP-1的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-10D 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN 10D是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为300至1500 PF,暗电流为2至25 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为43 ns.有关引脚10D的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-10DF 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.15 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-10DF是一款光电二极管,波长范围为550 nm,电容为1500 PF,响应度/光敏度为0.15 A/W,上升时间为1µs.有关引脚10DF的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-10DI 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-10DI是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为300至1500 PF,暗电流为2至25 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为43 ns.有关引脚10DI的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-10DP/SB 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8800 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-10DP/SB是一款光电二极管,波长范围为410 nm,电容为8800 PF,响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W,上升时间为2µs.有关引脚10DP/SB的更多详细信息,请联系我们。

  • PIN-10DP 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 9800 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-10DP是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为9800 PF,响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W,上升时间为1000 ns.有关引脚10DP的更多详细信息,请联系我们。